カーボンナノチューブを用いたトランジスタの製作・評価に関する研究
カーボンナノチューブを用いたトランジスタの製作・評価に関する研究
使用碳纳米管的晶体管的制造和评估研究
批准号：
12875066
负责人：
水谷 孝
金额：
$1.47万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2000
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2000 至 --
中文摘要
翻译
カーボンナノチューブ(CNT)を用いた電界効果トランジスタの製作は、Si酸化膜上に電極を形成した後、この上にCNT分散液を滴下することで可能であることを明らかにした。CNT分散液の滴下に当たっては、事前に分散液を遠心分離にかけることにより炭素微粒子が有効に除去できることを示した。なお用いるCNTとしてはCVD法で製作したものの方がアーク放電法よりも純度が高く適している。ゲート電極としては基板裏面に電極を形成しこれをバックゲートとして用いることによりドレイン電流の制御が可能であることを示した。ドレイン電流はゲート電圧を負の方向に増加させると増加することを明らかにした。これはCNT内部を流れる電流が正孔によって担われていることを示している。ドレイン電流を完全にピンチオフさせることはできず、なんらかのリーク電流成分が存在すること、リーク電流の原因としては多層CNTの内側CNTでの伝導、多数本CNTが束になったバンドルにおけるリーク等が考えられるが、この解明には単層のCNTを用いる必要がある。
英文摘要
カーボンナノチューブ(CNT)を用いた電界効果トランジスタの製作は、Si酸化膜上に電極を形成した後、この上にCNT分散液を滴下することで可能であることを明らかにした。CNT分散液の滴下に当たっては、事前に分散液を遠心分離にかけることにより炭素微粒子が有効に除去できることを示した。なお用いるCNTとしてはCVD法で製作したものの方がアーク放電法よりも純度が高く適している。ゲート電極としては基板裏面に電極を形成しこれをバックゲートとして用いることによりドレイン電流の制御が可能であることを示した。ドレイン電流はゲート電圧を負の方向に増加させると増加することを明らかにした。これはCNT内部を流れる電流が正孔によって担われていることを示している。ドレイン電流を完全にピンチオフさせることはできず、なんらかのリーク電流成分が存在すること、リーク電流の原因としては多層CNTの内側CNTでの伝導、多数本CNTが束になったバンドルにおけるリーク等が考えられるが、この解明には単層のCNTを用いる必要がある。
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会议论文
走査型プローブ顕微鏡を用いた単電子素子の製作および単電子トンネルの制御・検出
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批准号：10127215
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额：$0.96万
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财政年份：1998
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负责人：水谷 孝
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依托单位：
共鳴トンネル現象を利用した電子・光融合デバイスの研究
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批准号：09875087
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项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1997
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负责人：水谷 孝
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依托单位：
量子井戸構造を用いた共鳴トンネル論理デバイスの応答速度の研究
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批准号：08217211
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$1.15万
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财政年份：1996
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负责人：水谷 孝
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依托单位：
海外基金
