酸化物人工格子による室温・超巨大磁気抵抗材料の創成

利用氧化物超晶格创建室温超巨磁阻材料

• 批准号: 01J01102
• 负责人: 神吉 輝夫
• 金额: $ 1.92万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2001 至 2003
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01J01102/
• 关键词: スピンエレクトロニクス; ペロブスカイトMn酸化物; Field effectt transistor; レーザーアブレーション; Field effect transistor; MFM

モット絶縁体を母体としたペロブスカイト型Mn酸化物は強い電子相関に由来する電荷ギャップをもち、キャリア数により絶縁体から金属への転移を起こす。また、この物質の金属転移は二重交換強磁性転移を伴うため、スピントロニクス材料としても有望であると考えられる。そこで、私は電界効果によりキャリア濃度を制御することで、強磁性-常磁性状態の制御を可能にした新規な強相関電子系スピントロニクスデバイスの創成が可能であると考え、研究を行ってきた。前年度までに、(La, Ba)MnO_3極薄膜(膜厚10nm以下)において、基板との歪効果により強磁性発現温度が室温以上になることを見出した。この結果を用いて、強誘電体の残留分極を利用した電界効果トランジスタにより、金属-絶縁体転移温度(T_P)と電気抵抗の可逆的な変化を室温で確認し、電気伝導性を系統的に評価してきた。特に二重交換相互作用に起因するT_Pの変化により強磁性転移温度(T_C)の変化を間接的に示してきたが、磁性変化の決定的な証拠ではなかった。そこで私は、磁気光学Kerr効果測定により、電界効果による磁性変化を直接評価することを試みた。レーザーアブレーション法によりSrTiO_3(001)単結晶基板上にSrRuO_3下部電極/PZTゲート絶縁膜(300nm)/LBMOチャネル(10nm)から成るヘテロ構造を作製した。Kerr効果測定に用いたFETの電気伝導特性は、PZT界面が正に分極している場合(+Pr)のT_P=308.7Kから負に分極している場合(-Pr)の310.2Kへと変化した。このT_P付近で、強誘電体の残留分極方位の違いによるKerr楕円率が変化することを確認した。これは、電界効果によって、磁化が変調されたことを示す。このように、私は、室温において、電界効果による磁化の変調に成功した。

The reason for the formation of the Mn acid compound in the matrix is due to the formation of the electric charge, the temperature, the temperature and the temperature. Materials, materials, metals, metals, materials, materials, In the field of electrical engineering and private electronics, it is necessary to control the system, strong magnetic and constant magnetic status, which may lead to new rules and regulations in the field of electrical engineering. In the previous year, the temperature of the (La, Ba) MnO_3 anode film (below the thickness of 10nm) and the substrate were distorted, and the magnetic properties of the substrate were measured above room temperature. The results show that the residual materials of electrical and mechanical devices are extremely effective in the use of electrical equipment, such as thermal conductivity, metal-to-metal bulk temperature (TEMP), thermal conductivity, room temperature temperature confirmation, and thermal stability of electrical systems. The cause of the special double cross interaction is the temperature of the strong magnetic shift (TTC), the temperature of the magnetic interaction, and the magnetic interaction determined by the magnetic interaction. In the field of magnetism, optical Kerr testing, magnetic testing, and magnetic testing, the magnetization of the electrical industry is very important. The thin film of SrRuO_3

项目成果

Y-G.Park, T.Kanki, H.-Y Lee, H.Tanaka, T.Kawai: "CuPc/PbZr_<0.2>Ti_<0.8>O_3/(La, Ba)MnO_3 field effect transistor heterojunction photomemory"Solid State Electronics. 47. 2221 (2003)

Y-G.Park、T.Kanki、H.-Y Lee、H.Tanaka、T.Kawai：“CuPc/PbZr_<0.2>Ti_<0.8>O_3/(La, Ba)MnO_3 场效应晶体管异质结光存储器”固态电子学

神吉輝夫, 田中秀和, 川合知二: "電界効果トランジスタPb(Zr_<0.2>Ti_<0.8>)O_3/La_<1-x>Ba_xMnO_3を用いた金属絶縁体転移温度の室温制御"日本応用磁気学会誌. (発表予定). (2004)

Teruo Kamiyoshi、Hidekazu Tanaka、Tomoji Kawai：“使用场效应晶体管 Pb(Zr_<0.2>Ti_<0.8>)O_3/La_<1-x>Ba_xMnO_3 进行金属-绝缘体转变温度的室温控制”日本应用磁学会杂志（预定的演示文稿）（2004 年）。

T.Kanki, H.Tanaka, T.Kawai: "Magnoto-Transport Properties of Ferromagnetic La0.8Ba0.2MnO3 Antiferromagnetic LaMO3(M=Cr, Fe) perovskite Tri-layer Films"Journal of Applied Physics. (掲載予定). May 1, 2003 issue (2003)

T.Kanki、H.Tanaka、T.Kawai：“铁磁 La0.8Ba0.2MnO3 反铁磁 LaMO3(M=Cr, Fe) 钙钛矿三层薄膜的磁传递特性”应用物理学杂志（待出版）。 2003 年 5 月 1 日号 (2003)

T.Kanki, R.-W.Li, Y Naitoh, H.Tanaka, T.Matsumoto, T.Kawai: "Nano-scale observation of ultra thin (La, Ba)MnO_3 film with room temperature ferromagnetism"Applied Physical Letters. 83. 1184 (2003)

T.Kanki、R.-W.Li、Y Naitoh、H.Tanaka、T.Matsumoto、T.Kawai：“室温铁磁性超薄 (La, Ba)MnO_3 薄膜的纳米尺度观察”应用物理快报。

Teruo Kanki, Young-Geun Park, Hidekazu Tanaka, Tomoji Kawai: "Electrical-Field control of metal-insulator transition at room temperature in Pb(Zr_<0.2>Ti_<0.8>)O_3/La_<1-x>Ba_xMnO_3 field-effect transistor"Applied Physical Letters. 83. 4860 (2003)

Teruo Kanki、Young-Geun Park、Hidekazu Tanaka、Tomoji Kawai：“室温下 Pb(Zr_<0.2>Ti_<0.8>)O_3/La_<1-x>Ba_xMnO_3 场中金属-绝缘体转变的电场控制-