走査型プローブ顕微鏡を用いた有機ナノトランジスタの作製と評価

使用扫描探针显微镜制造和评估有机纳米晶体管

• 批准号: 13750266
• 负责人: 中村 雅一
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Chiba University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2001 至 2002
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-13750266/
• 关键词: 有機トランジスタ; 原子間力顕微鏡; ナノ構造; 有機半導体; 銅フタロシアニン; ペンタセン; 金属; 有機半導体界面

本研究では、ナノメートルスケールの有機トランジスタに関する基礎的な知見を得るため、導電性AFM探針を用いて有機薄膜の局所電気物性の評価や試作トランジスタの動作特性等を調べることを目的としている。まず、導電性探針および高感度AFM電流像測定を行うための装置改良を行った。これを用いて、マイカ上およびSiO_2上に成長させた針状結晶について結晶の厚みと導電率の関係を調べた結果、薄くなるほど導電率が高く、また、SiO_2上のほうがその傾向がより顕著であることが見いだされた。これは、基板表面によるキャリアドーピングが起こっていることを示唆するものであり、有機半導体ナノ構造の電子応用に関する重要な知見である。さらに、探針を特定の位置に固定してトランジスタ特性を測定できる3端子測定系(AFM-FET)の最適化を行い、探針をキャリア注入(ソース)電極とするナノスケールの電界効果トランジスタ測定を行った。これを用いたSiO_2上のCuPc結晶粒に対するAFM-FET測定から、CuPc単結晶粒では電界効果移動度が約10^<-2>cm^2/Vsと多結晶薄膜のものより2〜3桁高くなることを実証した。高移動度材料としてよく知られているペンタセンについても同様の測定を行ったところ、トラップへの充電電流と考えられる電流成分が大部分を占めるという結果となった。そこで、構造と物性の対応を知るための基礎実験として、分子線蒸着法によって成長条件による結晶型、結晶粒形、粒径の相図を得る実験を行い、通常のFET測定および25μm間隔のマイクロ4探針FET測定からキャリア輸送の阻害要因の候補を明らかにした。また、微細孔を多数有するAl膜をCuPc膜で挟んだ積層構造に対して、縦型のAFM-FET測定を行い、素子構造の最適化によって10^3程度の電流on/off比を示す100nmサイズのトランジスタが出来ることを明らかにした。

This study aims to obtain the basic knowledge of organic film properties, evaluate the electrical properties of organic films and test the operation characteristics of organic films with conductive AFM probes. An improved device for the measurement of high sensitivity AFM current images is proposed. The relationship between the thickness and conductivity of acicular crystals grown on SiO_2 and the thickness of acicular crystals grown on SiO_2 is adjusted. The conductivity of acicular crystals grown on SiO_2 is higher than that of thin crystals. This is an important insight into the electronic applications of organic semiconductor structures. 3-terminal measurement system (AFM-FET) optimization, probe injection and electrode measurement The AFM-FET measurement of CuPc crystal particles on SiO_2 shows that the mobility of CuPc crystal particles is about 10^<-2>cm_2/Vs, and that of polycrystalline thin films is 2 ~ 3 μ m. High mobility materials are known to have a large percentage of the charge current components measured in the same way. The basic conditions for structural and physical properties are discussed. The molecular vapor deposition method is used to determine the growth conditions, crystal type, crystal grain shape, particle size and phase difference. The FET measurement is usually performed at a spacing of 25μm. The 4 probe FET measurement is performed at a spacing of 25μm. For the determination of fine pores in Al films and CuPc films, the optimum current on/off ratio of 10^3 for the element structure was determined.

项目成果

村石典生, 中村雅一, 飯塚正明, 工藤一浩, 田中國昭: "有機ナノSIT:ゲート構造の作製と導電性AFM探針を用いた特性評価"第63回応用物理学会学術講演会. '02秋3. 1094 (2002)

Norio Muraishi、Masakazu Nakamura、Masaaki Iizuka、Kazuhiro Kudo、Kuniaki Tanaka：“有机 nanoSIT：使用导电 AFM 尖端制造栅极结构和表征”日本应用物理学会第 63 届年会秋季 02 3.1094 (2002)。

渡邊昌敏, 近藤晶子, 中村雅一, 飯塚正明, 工藤一浩: "銅フタロシアニン超薄膜の面内電気伝導に及ぼす基板の影響(2)"第63回応用物理学会学術講演会. '02秋3. 1087 (2002)

Masatoshi Watanabe、Akiko Kondo、Masakazu Nakamura、Masaaki Iizuka、Kazuhiro Kudo：“基材对超薄铜酞菁薄膜面内导电的影响 (2)”第 63 届日本应用物理学会年会 02 秋季 3。 1087 (2002)

M.Nakamura他: "Influence of Substrate on In-Plane Electrical Conduction of CuPc Nano-Crystals"Mat. Res. Soc. Symp. Proc.. (掲載予定). (2003)

M. Nakamura 等人：“基板对 CuPc 纳米晶体平面内导电的影响”，Soc.（即将出版）。

M.Nakamura他: "AFM Study of Discrete Surface Functional Group Fabricated by Langmuir-Blodgett Technique"Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.. (掲載予定). (2003)

M. Nakamura 等人：“通过 Langmuir-Blodgett 技术制造的离散表面官能团的研究”，Trans. Soc.（即将出版）。

村石典生, 中村雅一, 飯塚正明, 工藤一浩, 田中國昭: "導電性AFM探針を用いた有機ナノSITの作製"電子情報通信学会技術報告. OME2002-15. 13-17 (2002)

Norio Muraishi、Masakazu Nakamura、Masaaki Iizuka、Kazuhiro Kudo、Kuniaki Tanaka：“使用导电 AFM 尖端制造有机纳米 SIT”OME2002-15 (2002)。