電子集積型デンドリマーのEL機能

電子集積能を有するフェニルアゾメチンデンドリマー(DPAs)誘導体を合成、物性の検討から各世代のデンドリマーにおける金属イオン(スズ、ユーロフィウム、テルビウム、鉄、金など)との段階的な錯形成挙動が明らかにした。これらのデンドリマーは優れた耐熱性および溶解性を有しながらその特徴的な球状構造であるため、簡便に作製可能な電子テバイス用の新しいナノ材料として適している。そこで本研究では、ホール輸送能を持つカルバゾール基、トリフェニルアミン基を導入した様々なフェニルアゾメチンデンドリマーを新規合成し、ITO/Dendrimer(ホール輸送層、キャスト法)/Alq_3(電子輸送性発光層、蒸着法)/Al順となる二層型EL素子を作製し、各デンドリマーにおけるEL素子特性を評価した。すべての素子において金属との錯形成により素子特性の向上(輝度向上、開放電圧の低下等)が確認された。特にカルバゾール基置換デンドリマーの場合、一般的な高分子ホール輸送材料であるポリビニルカルバゾール(PVK)を用いた素子特性を超えることが明らかになった。さらに、これらデンドリマーを発光材料として展開するために金属集積能を持つフェニルアゾメチン基を側鎖導入したフェニレンビニレン(PPV)高分子を新規合成し、作製した素子の発光特性を検討したところポリマーからの発光が確認された。また、この高分子系においても金属と錯形成により大幅な素子特性の向上が明らかになり、新規ホール輸送材料として金属集積能を有するフェニアゾメチンデンデンドリマー誘導体の有用性が実証された。

電子集積能を有するフェニルアゾメチンデンドリマー(DPAs)誘導体を合成、物性の検討から各世代のデンドリマーにおける金属イオン(スズ、ユーロフィウム、テルビウム、鉄、金など)との段階的な錯形成挙動が明らかにした。これらのデンドリマーは優れた耐熱性および溶解性を有しながらその特徴的な球状構造であるため、簡便に作製可能な電子テバイス用の新しいナノ材料として適している。そこで本研究では、ホール輸送能を持つカルバゾール基、トリフェニルアミン基を導入した様々なフェニルアゾメチンデンドリマーを新規合成し、ITO/Dendrimer(ホール輸送層、キャスト法)/Alq_3(電子輸送性発光層、蒸着法)/Al順となる二層型EL素子を作製し、各デンドリマーにおけるEL素子特性を評価した。すべての素子において金属との錯形成により素子特性の向上(輝度向上、開放電圧の低下等)が確認された。特にカルバゾール基置換デンドリマーの場合、一般的な高分子ホール輸送材料であるポリビニルカルバゾール(PVK)を用いた素子特性を超えることが明らかになった。さらに、これらデンドリマーを発光材料として展開するために金属集積能を持つフェニルアゾメチン基を側鎖導入したフェニレンビニレン(PPV)高分子を新規合成し、作製した素子の発光特性を検討したところポリマーからの発光が確認された。また、この高分子系においても金属と錯形成により大幅な素子特性の向上が明らかになり、新規ホール輸送材料として金属集積能を有するフェニアゾメチンデンデンドリマー誘導体の有用性が実証された。