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次世代パワー照明デバイスを目指したナノ微粒子蛍光体に関する研究

下一代功率照明器件用纳米颗粒荧光粉的研究

基本信息

批准号：
03J03732
负责人：
大前邦途
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は、平成16年4月1日から平成17年3月31日までの一年間ドイツ連邦共和国ポール・ドルーデ研究所において、M面GaNの光物性に関する研究に従事している。M面GaNの大きな特徴の一つは、M面は無極性面であるために、従来のC面GaNで大きな問題となっていた自発・ピエゾ分極による内部電界を無視できることにある。実際のデバイスにおいては、井戸内に大きな電界が存在すると量子井戸に注入された電子と正孔が空間的に分離するために発光効率の低下をまねく。M面GaNは無極性面であるためにこの効果を無視でき発光効率の向上が期待される。我々の研究では、M面GaNをrfプラズマmolecular beam epitaxyを用いてLiA102上に成長している。LiA102上のM面GaNは、面内に異方性のある圧縮歪みをもつ。その結果、価電子帯のトップの2つのバンドのエネルギー差がc面GaN(7meV)に比べてM面GaN(50meV)では大きくなることを明らかにした。このような大きな価電子帯のエネルギー差はレーザダイオードにおいて反転分布を作製するためのキャリア密度の低減につながると考えられる。さらに、M面GaNは面内に大きな光学的異方性をもち、これが透過型の偏光フィルターとして使えることに着目して実験を行った。これは、M面GaNでは、ある波長域(約360nm)でa軸に平行な光だけを吸収することを利用している。その結果、最大40度の偏光面の回転が観測された。さらに、この回転角を光励起したキャリアによって制御するためにPump＆Probeの実験系を立ち上げ測定を行った。その結果、光励起しない場合40度で合った回転角が光励起により5度まで低減されることを観測した。また、Pump光の強度およびPump光とProbe光の時間遅れを制御することにより40度から5度まで連続的に変化させることができることも示した。

Research on optical properties of M-plane GaN conducted by the Institute of Optical Technology of the United States from April 1, 2016 to March 31, 2017 M-plane GaN features a reverse, M-plane reverse polar plane In fact, there is a large electric field in the well, and the light emission efficiency is low due to the injection of electrons into the quantum well and the separation of positive holes. M-plane GaN has no polar plane, no optical efficiency, and no optical efficiency. In this paper, we study the growth of molecular beam epitaxy on LiA102 by using GaN rf. M-plane GaN on LiA 102, in-plane anisotropy, pressure reduction, etc. As a result, the difference between the electron spectrum and the electron spectrum is greater in c-plane GaN (7 meV) than in M-plane GaN (50 meV). The distribution of electrons in the electron spectrum is controlled by the reduction of electron density. The optical anisotropy of GaN in the M plane is different from that of the transmission type. The absorption of light in the wavelength region (about 360 nm) parallel to the a-axis of GaN in the opposite and M planes is possible. The results show that the maximum polarization plane of 40 degrees is measured. The pump & probe system is operated on the basis of the optical excitation. The result is that the excitation angle is 40 degrees and the excitation angle is 5 degrees. Pump light intensity and probe light time are controlled by 40 degrees and 5 degrees respectively.