非線形光学現象を用いた硫化物ガラスの構造解明とその応用

利用非线性光学现象解析硫化物玻璃的结构及其应用

基本信息

  • 批准号:
    03J05159
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2003 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1 遷移金属をドープしたテルライトガラスへの2次非線形光学特性付与に関する研究(1)バナジウムイオンをドープしたNb_2O_5-TeO_2ガラスにNd : YAGレーザーの基本波と2倍波を同軸で集光照射することで、ガラス試料内部に分極構造を誘起し、2次非線形光学特性を空間選択的に付与することに成功した。光化学反応を示す遷移金属イオン(バナジウムイオン)をドープすることで、材料に半導体の性質を与えたことが大きな2次の非線形光学特性を付与に成功した要因であったと考えられる。(2)複数の価数状態で安定に存在し、観測する第二高調波の波長に大きな光吸収を示さないテルビウムイオンをバナジウムイオンと共にドープして(1)と同様の手順で実験を行ったところ、バナジウムイオンを単独でドープした試料より大きな2次の非線形光学特性を付与することができた。レーザー干渉光照射時にバナジウムイオンから放出された電子をテルビウムイオンがトラップしたためと考えられる。2 硫化物ガラスへの2次非線形光学特性の付与に関する研究(1)系統的に組成を変化させたGaS_<3/2>-GeS_2-LaS_<3/2>ガラスを作製した。(2)作製した硫化物ガラス試料に対してNd : YAGレーザーの基本波と2倍波による光干渉場を照射することにより、ガラスに光の波長のオーダーで異方性を誘起することに成功した。誘起された異方性構造は2次の非線形光学現象の一種である第二高調波発生現象(SHG)の観測により確認した。しかし観測された第二高調波の強度は硫化物ガラス組成に対して系統的な変化を示さなかった。3 半導体微粒子含有ガラスへの2次非線形光学特性付与に関する研究半導体微粒子を含有した市販のY52フィルターに対してNd : YAGレーザーの基本波と2倍波を同軸で集光照射することにより2次の非線形光学特性を付与することに成功した。また、そのレーザー強度依存性を明らかにした。
1. Study on the correlation between the second-order nonlinear optical properties and the migration of metals (1) The fundamental wave and the second-order nonlinear optical properties of Nd : YAG were successfully assigned to the Nb_2O_5-TeO_2 system. Photochemical reaction shows that the migration of metals is important because of the properties of semiconductors and the second order nonlinear optical properties. (2)A plurality of stable states exist, and the wavelength of the second high-frequency wave is measured. The optical absorption of the second high-frequency wave is measured. The optical absorption of the second high-frequency wave is measured. The optical absorption of the second high-frequency wave is measured. The optical absorption of the second high-frequency wave is measured. When the light is emitted, the electron is emitted. A study on the relationship between the second-order nonlinear optical properties of 2-sulfide crystals (1) The composition of the system GaS_<3/2>-GeS_2-LaS_<3/2> is changed. (2)For the preparation of sulfide samples, the fundamental wave and the second harmonic wave of the optical interference field were successfully induced. The second high-profile wave generation phenomenon (SHG), one of the second-order nonlinear optical phenomena induced by anisotropic structures, was confirmed by measurement. The intensity of the second high-profile wave is measured by the composition of the sulfide system. 3. Study on semiconductor particles containing Y52-Nd : YAG fundamental wave and 2nd harmonic wave with concentrated light irradiation The intensity dependence of the light and light is obvious.

项目成果

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