先端半導体デバイスの高温照射による導入格子欠陥の研究
先端半導体デバイスの高温照射による導入格子欠陥の研究
先进半导体器件中高温辐照引入的晶格缺陷研究
批准号：
15760040
负责人：
葉山 清輝
金额：
$1.15万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2003
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2003 至 --
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会议论文
エピタキシャルAl_2O_3/Si超薄膜多層構造の低温形成とその応用
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批准号：06750318
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1994
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负责人：葉山 清輝
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依托单位：