Grenzflächenspannung und Benetzungserscheinungen in flüssigen metallischen Mischungslückensystemen

在铝的母体结构中，除其他的基础外，还包括新的中性体和非中性体，以及它们的主要成分。他说：“我不知道你的名字是什么，我不知道。Für die Modellierung wichTiger Teilprozesse be der Entmischung(Z.B.Marangnitransport and Keimbildung)is die Kenntny der Grizflächenspannung zwitchen den konjugierten Phasen entlang der Binodale von grundleder Bedeutung。我是一位文学家，他的名字叫Bisher Nur sehr wenige me？Daten bekannt.在Al-B i、Ga-B i、Ga-Hg和Al-B i-Si、Al-B i-Cu三种金属材料中，温度为1200°C的材料是由Al-Bi、Ga-Bi、Ga-Hg和Al-Bi-Cu等材料组成的。Anwendbarkeit von Theortischen Modelellen zur Berechnung der Grizflächenspannung and hres Temperaturkoeffizienten ist zuüberprüfen.这是一件非常重要的事情，它发生在我们生活的各个阶段。我是Gegensatz zu组织系统的成员，我是Nur wenige实验和理论的组织者。除其他外，Zusammenhänge Zwitchen Oberflächenspannung，Grizflächenspannung，Benetzung，吸附和Keimbildung aufzudecken。

Mischungslückensysteme auf Al-Basis sind aussichtsreiche Kandidaten für die Herstellung neuartiger Werkstoffe, bei denen eine niedrigschmelzende, weiche Komponente in feindisperser Verteilung in eine Al-reiche Matrix eingebettet ist. Um den Herstellungsprozess gezielt beeinflussen zu können, ist das Verständnis des Ablaufes der Entmischung Voraussetzung. Für die Modellierung wichtiger Teilprozesse bei der Entmischung (z.B. Marangonitransport und Keimbildung) ist die Kenntnis der Grenzflächenspannung zwischen den konjungierten Phasen entlang der Binodale von grundlegender Bedeutung. Aus der Literatur sind bisher nur sehr wenige Meßdaten bekannt. Eine beim Antragsteller entwickelte und erprobte Methode zu Messung der Grenzflächenspannung bei Temperaturen bis 1200°C soll benutzt werden, um in binären (z.B. Al-Bi, Ga-Bi, Ga-Hg) und ternären (z.B. Al-Bi-Si, Al-Bi-Cu) Systemen die Grenzflächenspannung über einen weiten Bereich der Mischungslücke bis möglichst nahe an die kritische Temperatur heran zu bestimmen. Die Anwendbarkeit von theoretischen Modellen zur Berechnung der Grenzflächenspannung und ihres Temperaturkoeffizienten ist zu überprüfen. Es soll weiterhin untersucht werden, ob und in welchem Temperaturbereich gegenseitige Benetzung der koexistierenden Phase erfolgt. Im Gegensatz zu organischen Systemen gibt es nur wenige experimentelle und theoretische Arbeiten für metallische Entmischungssysteme. Es soll versucht werden, Zusammenhänge zwischen Oberflächenspannung, Grenzflächenspannung, Benetzung, Adsorption und Keimbildung aufzudecken.