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Investigation for pinning mechanism of magnesium diboride superconductor

Investigation for pinning mechanism of magnesium diboride superconductor
二硼化镁超导体钉扎机制研究
批准号：
18560647
负责人：
DOI Toshiya
金额：
$2.52万
依托单位：
Kagoshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18560647/
关键词：
超伝導ピン止め二ホウ化マグネシウム量子化磁束線臨界電流密度超電導ニホウ化マグネシウムMgB_2二ホウ素化マグネシウム多層膜

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究では実用化が期待されていながらも、超伝導体にとって最も基本的で重要な特性である臨界電流密度J_c(電気抵抗ゼロで流すことができる電流密度の上限値)が低いMgB_2超伝導体について、J_cを支配する主たる要因であるピン止め機構を明らかにすることを目的に研究を行ない、Mg不足組成に伴って発生する点欠陥、1nm厚のNi層、5nm厚のB層が非常に有効なピン止め物であることを発見した。また、ピン止めされるべき対象である量子化磁束線が過不足なくピン止め物に捕らえられた時に最も高いピン止め力が得られることを明らかにした。
英文摘要
本研究では実用化が期待されていながらも、超伝導体にとって最も基本的で重要な特性である臨界電流密度J_c(電気抵抗ゼロで流すことができる電流密度の上限値)が低いMgB_2超伝導体について、J_cを支配する主たる要因であるピン止め機構を明らかにすることを目的に研究を行ない、Mg不足組成に伴って発生する点欠陥、1nm厚のNi層、5nm厚のB層が非常に有効なピン止め物であることを発見した。また、ピン止めされるべき対象である量子化磁束線が過不足なくピン止め物に捕らえられた時に最も高いピン止め力が得られることを明らかにした。
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会议论文
組成を変化させて作製したMgB_<2+x>薄膜の超伝導特性
不同成分制备的MgB_<2+x>薄膜的超导性能
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： 低温工学 vol.43
影响因子： --
作者： [束野豊, 土井俊哉, 山下裕生, 白樂善則, 北口仁, 高橋健一郎, Harini SOSIATI, 波多聰, 池田賢一, 中島英治]
通讯作者： 中島英治
Investigation for anormalous superconducting critical temperature behavior of superconductor/normalconductor alternately-layered thin films
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