誘導結合型プラズマの2次元モデリングによるマイクロスケールエッチングのデザイン

使用电感耦合等离子体二维建模的微尺度蚀刻设计

• 批准号: 06J50932
• 负责人: 佐藤 俊和
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Keio University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06J50932/
• 关键词: プラズマ; モデリング; シリコンエッチング; 酸化膜形成

1.誘導結合型SF_6/O_2プラズマの2次元モデリングを行い、10^<10>cm^<-3>程度の中密度プラズマにおけるリアクタ内の各荷電粒子の数密度空間分布を明らかにした。ガス混合比がSF_6:O_2=5:1でガス圧力が50,100mTorrの条件において、O^+がSF_5^+と同等の密度を持ち、SF_5^+がコイル近傍にピークを持つのに対してO^+密度がリアクタ中心で最大になることがわかった。また負イオン密度が電子密度よりも10倍以上高く典型的な電気的負性プラズマであることがわかった。2.上記1の内容について、国際学会(Gaseous Electronics Conference)にて発表を行い、また慶應義塾大学の21世紀COEプログラム(電気・電子・情報)の中間報告会において報告を行った。3.シリコンのエッチングプロセスと同様に重要な役割を持つ、酸化膜形成プロセスについて先行して研究を始めた。酸素系プラズマによる酸化膜形成プロセスを対象として、誘導結合型Ar/O_2(5%)プラズマの2次元モデリングを行い、プラズマ中における酸素原子の生成メカニズムおよびAr準安定原子の影響を調べた。基底準位酸素原子の生成メカニズムは酸素分子の解離と準安定酸素原子のクエンチングが支配的であることがわかった。また純粋Arの時と比較して、酸素を5%混合するとAr準安定原子密度は増加するものの、Ar準安定原子が酸素原子生成プロセスに及ぼす影響は非常に小さいことがわかった。4.上記3の内容について、国際シンポジウム(EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing)にて発表を行い、また慶應義塾大学の21世紀COEプログラムの成果報告会において報告を行った。

1. The combination of SF_6/O_2 clips and 2-dimensional linear regression lines, 10 ^ & lt;10> cm ^ & lt;-3> levels shows the spatial distribution of the number density of particles in each load in the atmosphere. The mixing ratio SF _ 6:O_2=5:1 forces 50100mTorr conditions hold, O^ + SF _ 5^ + equivalent density hold, SF_ 5^ + close hold hold density O^ + density center maximum density hold. The density of electrons is more than 10 times higher than that of typical electrical power plants. two。 In the last 10 years, the International Institute of International Studies (Gaseous Electronics Conference) will conduct a list of reports, and the International Institute of International Studies (Gaseous Electronics Conference) will conduct a series of reports on the 21st-century COE reports in the middle of the school. 3. This is the first step in the study of the formation of acidizing film. The acid system is characterized by the formation of an acid film, a combination of Ar/O_2 (5%), a combination of two-dimensional acid atoms, and the formation of acid atoms, which is sensitive to the concentration of acid atoms, Ar level and stability atoms. The base standard acid atom produces the acid molecule to dissociate from the standard diazepam atom, which is dominated by the acid atom. Temperature Ar time comparison, acid mixture of 5%, Ar stable atomic density increase temperature, Ar stable atomic acid atom to form a high concentration of acid, and the effect is very small. 4. In the last three years, the contents of the report will be reviewed, the EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing will be listed in the table, and the report will be held in the 21st century COE University.