リチウム二次電池用金属間化合物負極の欠陥構造と電極特性
リチウム二次電池用金属間化合物負極の欠陥構造と電極特性
批准号:
18760525
负责人:
岸田 恭輔
金额:
$2.3万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2007
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リチウム二次電池の負極材料として,黒鉛負極の約2倍程度の理論放電容量を持つスズやシリコン,アルミニウムを含む金属間化合物系負極材料に期待が集まっている.本研究では,金属間化合物負極へのリチウム挿入脱離反応による構造変化メカニズムと格子欠陥の相関を調べることを通じて,電極の高性能化を目指した基礎研究を行った.六方晶系B8_1-B8_2型構造を基礎とし,空孔規則配列結晶構造を有するNi_3Sn_2単結晶薄板を用いて,電気化学特性と微細構造変化との相関について調べた.Ni_3Sn_2相は組成幅を有し,組成変化に伴って格子定数および空孔規則配列が複雑に変化する.Ni_3Sn_2の六方晶母構造の底面に平行および垂直な試料について,充放電試験を行った場合,化学量論組成の試料では底面に垂直な試料の方が約2倍の高い充電容量を示す.空孔濃度の増加および格子定数の低下が見られるNi-poor組成の試料ではこのような異方性と充電容量が著しく低下する.これらの結果と,TEMによる微細構造観察の結果から,Ni_3Sn_2中ではLi原子は八面体サイトに存在していること,充電容量の結晶方位依存性は,Liの拡散速度の差に起因しているものと結論付けられる.また,充放電特性に及ぼす格子欠陥の影響を見るため,さまざまな熱処理を施したNi_3A1冷間圧延箔への充放電試験を行った結果,1次再結晶終了材,99%冷間圧延材,完全焼鈍材の順で,充放電容量が低下した.微細組織との相関を検討した結果,高エネルギー粒界,格子欠陥がLiの拡散を促進に寄与していると結論付けられる.以上のように,金属間化合物負極ではリチウムの拡散を促進するような結晶構造,格子欠陥構造の制御により,電極特性の向上が期待できることを明らかにした.
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LiCoO_2正極/(La,Li)TiO_3固体電解質間の結晶方位関係
LiCoO_2正极/(La,Li)TiO_3固体电解质的晶体取向关系
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
まてりあ 45・12
影响因子:
--
作者:
[R. Nakamura, D. Tokozakura, J.-G. Lee, H. Mori, H. Nakajima, 岸田恭輔]
通讯作者:
岸田恭輔
Improvement of Battery Performance by Surface Modification of Crystalline Solid Electrolyte for All Solid-State Lithium Batteries
全固态锂电池结晶固体电解质表面改性改善电池性能
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
ECS Transactions 6
影响因子:
--
作者:
[仲村 龍介, 李 正九, 森 博太郎, 中嶋 英雄, 桐原聡秀, S. Kirihara, R.Nakamura, S. Kirihara, K. Kishida, 桐原聡秀, R.Nakamura, K. Kishida, 桐原聡秀, R.Nakamura, T. Kosho, 桐原聡秀, 桐原聡秀, R.Nakamura, K. Kishida]
通讯作者:
K. Kishida
Ni_<3-x>Sn_2の結晶構造とリチウム二次電池負極特性の組成依存性
Ni_<3-x>Sn_2的晶体结构及锂二次电池负极性能的成分依赖性
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[R. Nakamura, D. Tokozakura, J.-G. Lee, H. Mori, H. Nakajima, 岸田恭輔, 岸田恭輔, 小庄孝志]
通讯作者:
小庄孝志
Crystal and defect structures of La_<2/3-x>Li_xTiO_3(x〜0.1) produced by a melt process
熔融法制备的La_<2/3-x>Li_xTiO_3(x〜0.1)的晶体和缺陷结构
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Journal of Electron Microscopy 56
影响因子:
--
作者:
[仲村 龍介, 李 正九, 森 博太郎, 中嶋 英雄, 桐原聡秀, S. Kirihara, R.Nakamura, S. Kirihara, K. Kishida, 桐原聡秀, R.Nakamura, K. Kishida]
通讯作者:
K. Kishida
固体電解質層およびその製造方法
固体电解质层及其制造方法
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 11 条
複合元素添加遷移金属シリサイド基共晶材料の異常強化機構
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批准号:21H01651
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.9万
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财政年份:2021
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负责人:岸田 恭輔
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依托单位:
遷移金属アルミナイドの結晶粒界と界面における原子結合
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批准号:98J08988
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1998
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负责人:岸田 恭輔
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依托单位:
海外基金