Magnetization dynamics in metal/non-metal magnetic granular films

本研究では金属/非金属グラニュラー強磁性膜TM-Al-O(TM=Fe, Co)中に熱励起されたスピン波を光散乱により観測した。振動数の磁場変化から交換磁場HEを決定し、室温における電気抵抗率ρと逆二乗則ρ∝HE-2が成立していることを見出した。また、これらの試料の電気抵抗率ρを300 K~4.2 Kまで測定し、ρが140 K以下の広い温度範囲ではT2項が、さらに低温では-logT項が支配的になることを見出した。TM-Al-O強磁性膜の電気抵抗における-logT項の存在は以前に報告されていたが、100 Kを超す広い温度範囲でのT2項の確認は世界初である。

本研究では金属/非金属グラニュラー強磁性膜TM-Al-O(TM=Fe, Co)中に熱励起されたスピン波を光散乱により観測した。振動数の磁場変化から交換磁場HEを決定し、室温における電気抵抗率ρと逆二乗則ρ∝HE-2が成立していることを見出した。また、これらの試料の電気抵抗率ρを300 K~4.2 Kまで測定し、ρが140 K以下の広い温度範囲ではT2項が、さらに低温では-logT項が支配的になることを見出した。TM-Al-O強磁性膜の電気抵抗における-logT項の存在は以前に報告されていたが、100 Kを超す広い温度範囲でのT2項の確認は世界初である。