课题基金 / 基金详情

Light induced room temperature magnetoresistance oscillation in ferromagnetic oxide semiconductor

Light induced room temperature magnetoresistance oscillation in ferromagnetic oxide semiconductor
铁磁氧化物半导体中的光致室温磁阻振荡
批准号：
19686021
负责人：
FUKUMURA Tomoteru
金额：
$13.73万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19686021/
关键词：
電子・電気材料光物性磁性半導体物性スピンエレクトロニクス

项目摘要

项目成果

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強磁性半導体CoドープTiO2の高品質アナターゼ型試料の作製により、常磁性-強磁性の相境界の電子濃度を決定し、キュリー温度が約600 Kときわめて高温であることを明らかにした。バンド間遷移を誘起する紫外光励起では電子濃度の増加は微小で顕著な磁気伝導の変化は見られなかったが、強電界効果による電子ドーピングの結果、室温での異常ホール効果が増加した。これは強磁性が電子キャリアの媒介であることの直接的な証拠であり、室温で電気的に強磁性を制御できた応用上も極めて重要な成果である。
英文摘要
強磁性半導体CoドープTiO2の高品質アナターゼ型試料の作製により、常磁性-強磁性の相境界の電子濃度を決定し、キュリー温度が約600 Kときわめて高温であることを明らかにした。バンド間遷移を誘起する紫外光励起では電子濃度の増加は微小で顕著な磁気伝導の変化は見られなかったが、強電界効果による電子ドーピングの結果、室温での異常ホール効果が増加した。これは強磁性が電子キャリアの媒介であることの直接的な証拠であり、室温で電気的に強磁性を制御できた応用上も極めて重要な成果である。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Self-assembled octadecanoic acid monolayer on oxide surfaces
氧化物表面自组装十八烷酸单层
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [R. Y. Gunji, H. Hiraga, M. Nakano, A. Ohtomo, T. Makino, T. Fukumura, M. Kawasaki]
通讯作者： M. Kawasaki
光照射によるTi_<1-x>Co_xO_2の電子状態変化
光照射下Ti_<1-x>Co_xO_2电子态的变化
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [山下直飛人, 須田山貴亮, 田久保耕, 溝川貴司, 豊崎秀海, 福村知昭, 川崎雅司]
通讯作者： 川崎雅司
強磁性半導体素子及び強磁性半導体の制御方法
铁磁半导体元件及铁磁半导体控制方法
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
アナターゼTi_<1-x>Co_xO_<2-δ>薄膜における強磁性-常磁性相境界の磁性
锐钛矿 Ti_<1-x>Co_xO_<2-δ> 薄膜中铁磁-顺磁相界的磁性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [山田良則, 福村知昭, 上野和紀, 中野匡規, 山崎高志, 川崎雅司]
通讯作者： 川崎雅司
共 50 条
    Exploration of rare earth oxide spintronics using room temperature ferromagnetic oxide semiconductor with large magnetization
    • 批准号：
      18H03872
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.79万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      FUKUMURA Tomoteru
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Fabrication of layered Bi oxide single crystalline thin film with anomalous valence by developing reductive solid phase epitaxy
    海外基金