Mechanism elucidations of catalytic reaction generated on gold nano-cluster

金纳米团簇催化反应的机理阐明

• 批准号: 19750018
• 负责人: MINATO Taketoshi
• 金额: $ 2.32万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19750018/
• 关键词: 表面科学; 触媒; 金; ナノクラスター; 二酸化チタン; 走査トンネル顕微鏡; 光電子分光法; 酸化反応; 金属錯体; クラスター; 触媒化学

化学的に不活性な金が、ナノサイズ化(3nm程度)され、二酸化チタンなどの金属酸化物に担持された時に示す特異的な触媒活性の起源を明らかにするために、二酸化チタン担持金クラスターモデル触媒を用いて局所的電子状態と触媒活性との関連を調査した。二酸化チタン表面の性質を担う欠陥由来の電子状態について調べたところ、これまで信じられてきた酸素欠損サイトでの局在は見られず、その周りへ広く分布している事を初めて直接観察した。また、金クラスターは二酸化チタンの表面欠陥サイトに吸着し、そこでTi 3d電子を受け取っていること、さらに、そのTi 3d電子の移動が、金の触媒活性発現に関わっていることを明らかにした。

The chemical inactivity of the metal, the oxidation of the metal (3nm), the oxidation of the metal and the oxidation of the metal acid support indicate the origin of the specific catalytic activity. The properties of the surface of the two acids are related to the electronic state of the origin of the acid. The properties of the two acids are related to the electronic state of the origin of the acid. The properties of the two acids are related to the electronic state of the origin of the acid. The surface of the metal oxide layer is not completely free from adsorption, and the Ti3d electrons are absorbed. The Ti3d electrons are moved and the catalytic activity of the metal is activated.

项目成果

Electronic interactions between defects on titanium dioxide surfaces and gold nano-clusters

二氧化钛表面缺陷与金纳米团簇之间的电子相互作用

• 发表时间: 2007
• 作者: T. Minato;J. Zhao;Y. Sainoo;Y. Kim;H. S. Kato;T. Susaki;S. Shiraki;K.-i. Aika;J. Yang;H. Petek;M. Kawai
• 通讯作者: M. Kawai

金清浄表面の電気化学エッチング過程の原子レベル観察

洁净金表面电化学蚀刻过程的原子级观察

• 发表时间: 2009
• 作者: 吉田浩二;繪面健;葛目義陽;湊 丈俊;板谷謹悟
• 通讯作者: 板谷謹悟

固液界面の原子・分子レベルでの解明

在原子和分子水平上阐明固液界面

• 发表时间: 2009
• 作者: R. Wen;H. Aoki;A. Kuzum e;T. Minato;K. Itaya;湊 丈俊;湊丈俊
• 通讯作者: 湊丈俊

秩序とダイナミクスが誘起する表面現象(依頼講演)

秩序与动力学引起的表面现象（特邀报告）

• 发表时间: 2008
• 作者: 湊 丈俊;吉田浩二;青木洋人;T. Wagner;板谷謹悟;湊 丈俊
• 通讯作者: 湊 丈俊

"水素終端Si(001)表面上の単分子列形成過程における置換基の影響"

“取代基对氢封端Si(001)表面单分子阵列形成过程的影响”

• 发表时间: 2007
• 作者: Dasanayake Rasika Sanjeewa;湊丈俊;Hossain Md. Zakir;加藤浩之;川合真紀
• 通讯作者: 川合真紀