III族窒化物半導体／金属量子多層構造による高温域熱電変換素子の開発
III族窒化物半導体／金属量子多層構造による高温域熱電変換素子の開発
采用III族氮化物半导体/金属量子多层结构的高温范围热电转换器件的开发
批准号：
24560816
负责人：
井上 茂
金额：
$3.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2013-03-31
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身体活動に影響を与える環境要因に関する研究-環境要因評価尺度の開発-
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批准号：15790304
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$0.9万
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财政年份：2003
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负责人：井上 茂
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依托单位：