ブロック共重合体／フラーレン誘導体複合膜を利用した高集積メモリデバイスの創製
ブロック共重合体／フラーレン誘導体複合膜を利用した高集積メモリデバイスの創製
使用嵌段共聚物/富勒烯衍生物复合薄膜创建高度集成的存储器件
批准号：
24750174
负责人：
劉 振良
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2013-03-31
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