Alternative ways in the SiC-sublimation growth and co-doping with donors

SiC 升华生长和与供体共掺杂的替代方法

• 批准号: 5368672
• 负责人: Dr. Gerhard Pensl
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik der kondensierten Materie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5368672?language=en
• 关键词: Alternative; ways; SiC; sublimation; growth

Im vorliegenden Teilprojekt sollen die physikalischen Grundlagen und technologischen Prozesse für alternative Lösungen für die SiC-Sublimationszüchtung und Dotierung von SiC mit hohen Donatorkonzentrationen erarbeitet werden. Damit sollen die Voraussetzungen geschaffen werden, um SiC-Hochleistungsbauelemente mit großer Fläche - d.h. mit hohen Strömen - und niedrigen Verlusten durch den Bahnwiderstand sowie genügend großer Ausbeute über der gesamten Waferfläche herstellen zu können.

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