Alternative ways in the SiC-sublimation growth and co-doping with donors

点击翻译按钮获取中文摘要

Im vorliegenden Teilprojekt sollen die physikalischen Grundlagen und technologischen Prozesse für alternative Lösungen für die SiC-Sublimationszüchtung und Dotierung von SiC mit hohen Donatorkonzentrationen erarbeitet werden. Damit sollen die Voraussetzungen geschaffen werden, um SiC-Hochleistungsbauelemente mit großer Fläche - d.h. mit hohen Strömen - und niedrigen Verlusten durch den Bahnwiderstand sowie genügend großer Ausbeute über der gesamten Waferfläche herstellen zu können.