量子ビーム照射下におけるリチウム系セラミックス増殖材中の水素挙動に関する研究

量子束辐照下锂基陶瓷增殖材料氢行为研究

基本信息

  • 批准号:
    08J07118
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は核融合炉における固体増殖材候補である三元系リチウム酸化物(LiAlO_2, Li_2TiO_3, Li_2ZrO_3およびLi_4SiO_4)中の水素同位体捕捉・輸送挙動を明らかにすると共に、イオン照射による損傷機構を解明し、この構造変化と水素挙動の関係を明らかにすることを目的とする。本年度は、分光学的手法と高速イオン散乱分析を複合的に活用することにより、増殖材中にイオン入射した水素が欠陥形成に及ぼす影響を明らかにすることに焦点を当てた。室温において10keV D_2^+および10keV He^+照射された単結晶LiAlO_2の紫外・可視光吸収測定により、5.25eVの酸素欠陥(F^+ center)に由来する吸収ピーク強度は、He照射と比べてD照射試料のほうが著しく高いことが分かった。また、RBSイオンチャネリング法を用い、これらDおよびHe照射されたLiAlO_2中のはじき出し原子濃度の深さプロファイルを調べた結果、D入射にともない形成される欠陥の深さプロファイルは、二体衝突モデルで予測されるプロファイルよりも十分に深い位置まで及ぶ。一方で、ヘリウム照射で形成されるはじき出し損傷プロファイルは計算で予測されるものとほぼ一致した。入射Dは核的衝突によるはじき出し損傷に加えて、イオン飛跡終端における水素捕捉により、例えば水素化物といった母結晶とは異なる化合物を形成することにより構造変化をもたらすものと考えられる。さらに、高温照射下(~653K)においては、D照射にともなうはじき出し原子数の増加量が、He照射に比べて著しく多いことを明らかにした。以上のように本年度は、入射水素と欠陥形成過程の関係に関する新しい知見を見出すとともに、これが高温照射下におけるダメージ蓄積挙動にも重要な役割を持つことを示すことができた。
In this study, the capture and transport of water isotopes in the ternary system of solid growth candidates (LiAlO_2, Li_2TiO_3, Li_2ZrO_3 and Li_4SiO_4) were investigated. This year, the optical method and the scattered analysis method are used. UV/visible light absorption measurements of crystalline LiAlO_2 at room temperature under 10keV D_2^+ and 10keV He^+ irradiation. The absorption intensity of the sample under 5.25 eV F^+ center irradiation was higher than that under D irradiation. In addition, the method of RBS, RBS and He irradiation was used to adjust the atomic concentration of LiAlO_2. The results showed that the atomic concentration of LiAlO_2 was adjusted by RBS and He irradiation. The atomic concentration of LiAlO_2 was adjusted by RBS and He irradiation. The atomic concentration of LiAlO_2 was adjusted by RBS and He irradiation. The atomic concentration of LiAlO_2 was adjusted by RBS and He irradiation. The results of the calculation show that there is no significant difference between the results of the calculation and those of the calculation. For example, if a compound is formed, it will be structurally modified. Under high temperature irradiation (~653K), the number of atoms increased, the number of atoms increased, and the number of atoms increased. This year, the incident water element formation process is related to the new situation, such as high temperature exposure, high temperature exposure, high temperature, high temperature exposure, high temperature exposure, high temperature, high temperature exposure, high temperature exposure, high temperature

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Study on compatibility between SiC and solid breeding materials irradiated in HFIR
SiC与HFIR辐照固体育种材料的相容性研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Katsui;S.Nagata;B.Tsuchiya;M.Zhao;T.Shikama;且井宏和;且井宏和;且井宏和;且井宏和;且井宏和;且井宏和;且井宏和;且井宏和
  • 通讯作者:
    且井宏和
Damage and deuterium retention in LiAlO(2) single crystals irradiated with deuterium ions using ion-beam techniques and optical absorption measurements
使用离子束技术和光学吸收测量,用氘离子辐照的 LiAlO(2) 单晶中的损伤和氘保留
  • DOI:
    10.1016/j.jnucmat.2010.12.134
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.1
  • 作者:
    Katsui;H; Nagata;S; Tsuchiya;B; Zhao;M; Shikama;T
  • 通讯作者:
    T
Study on damage process and hydrogen effect in Li2ZrO3 by using ion-induced luminescence
离子诱导发光研究Li2ZrO3损伤过程和氢效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Katsui;S.Nagata;B.Tsuchiya;M.Zhao;T.Shikama;且井宏和;且井宏和
  • 通讯作者:
    且井宏和
高温イオン照射下におけるLiAlO_2中の欠陥と水素の蓄積挙動
高温离子辐照下LiAlO_2的缺陷及氢富集行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Katsui;S.Nagata;B.Tsuchiya;M.Zhao;T.Shikama;且井宏和;且井宏和;且井宏和;且井宏和
  • 通讯作者:
    且井宏和
Study on damage process and hydrogen effect in Li_2ZrO_3 by using ion-induced luminescence
离子诱导发光研究Li_2ZrO_3损伤过程及氢效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Katsui;S.Nagata;B.Tsuchiya;M.Zhao;T.Shikama;且井宏和
  • 通讯作者:
    且井宏和
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  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    三木 恒久
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
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  • 资助金额:
    $ 1.15万
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知道了