Current-induced domain wall motion in ferromagnetic semiconductors
Current-induced domain wall motion in ferromagnetic semiconductors
铁磁半导体中电流引起的畴壁运动
批准号：
20360001
负责人：
MATSUKURA Fumihiro
金额：
$11.9万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
中文摘要
翻译
我们研究了(Ga，Mn)As中与磁畴壁有关的现象，发现(1)(Ga，Mn)As中磁化壁蠕变运动的普适性由表面粗糙度决定。(2)磁化壁上的运动可以诱导电动势，这是电流引起的磁化壁运动的倒易效应。
英文摘要
We have investigated the domain wall related phenomena in (Ga, Mn)As and found that(1)Universality class of domain wall creep motion in (Ga, Mn)As is governed by the surface roughness(2)Electromotive force can be induced by the domain wall motion, which is a reciprocal effect of the current induced domain wall motion.
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強磁性半導体における磁壁の電流駆動
铁磁半导体中畴壁的电流驱动
铁磁半导体中畴壁的电流驱动
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
まぐね
影响因子：
--
作者：
[千葉大地, 山ノ内路彦, 松倉文禮, 大野英男]
通讯作者：
大野英男
Buffer layer dependence of magnetic domain wall creep in (Ga,Mn)As
(Ga,Mn)As 中磁畴壁蠕变的缓冲层依赖性
(Ga,Mn)As 中磁畴壁蠕变的缓冲层依赖性
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A.Suzuki, A.Kanda, F.Matsukura, H.Ohno]
通讯作者：
H.Ohno
(Ga, Mn)As中の磁壁の磁場誘起クリープ
(Ga, Mn)As 中磁场引起的磁畴壁蠕变
(Ga, Mn)As 中磁场引起的磁畴壁蠕变
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Sakka, T. Uchikoshi, T. S. Suzuki, T.Kimura, 神田明典]
通讯作者：
神田明典
As中の磁壁の磁場誘起クリープ
磁场引起的 As 磁畴壁蠕变
磁场引起的 As 磁畴壁蠕变
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[神田明典, 松倉文禮, 大野英男]
通讯作者：
大野英男
Domain wall creep in (Ga, Mn)As
(Ga, Mn)As 中的畴壁蠕变
(Ga, Mn)As 中的畴壁蠕变
DOI：
10.1063/1.3467048
发表时间：
2010
期刊：
Appl. Phys. Lett
影响因子：
--
作者：
[A. Kanda, A. Suzuki, F. Matsukura, and H. Ohno]
通讯作者：
and H. Ohno
共 12 条
Ferromagnetic semiconductors codoped with donors and their devices
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批准号：26600068
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2014
-
负责人：MATSUKURA Fumihiro
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依托单位：
Generation and detection of spin current in p-type nonmagnetic semiconductors
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批准号：23360002
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$13.4万
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财政年份：2011
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负责人：MATSUKURA Fumihiro
-
依托单位：
海外基金