Research on 3D-integrated Silicon Nano LSI System

3D集成硅纳米LSI系统研究

• 批准号: 20360152
• 负责人: TAKEUCHI Ken
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: Chuo University (2011-2012)The University of Tokyo (2008-2010)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360152/
• 关键词: メモリ; SSD; 3次元 LSI; 電源; 低消費電力; フラッシュメモリ; 3次元LSI; 強誘電体; 不揮発メモリ; CMOS; ナノスケール; 不揮発性メモリ; アダプティブ

Inductor based low power circuits are developed to enhance the power efficiency up to 50% and decrease the memory power consumption by half. In addition, the ferroelectric MOS transistor based logic circuit system is developed which operates at an extreme

基于电感的低功耗电路的开发，以提高功率效率高达50%，降低一半的存储器功耗。此外，还研制了工作在极限工作状态下的铁电MOS晶体逻辑电路系统

项目成果

Inside Solid State Drives (Ssds)

• DOI: 10.1007/978-94-007-5146-0
• 发表时间: 2012-10
• 作者: R. Micheloni;A. Marelli;K. Eshghi

Inductor Design of 20-V BoostConverter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories

用于具有 NAND 闪存的低功耗 3D 固态驱动器的 20V 升压转换器的电感器设计

• 发表时间: 2009
• 作者: Tadashi Yasufuku;Koichi Ishida;Shinji Miyamoto;Hiroto Nakai;Makoto Takamiya;Takayasu Sakurai and Ken Takeuchi
• 通讯作者: Takayasu Sakurai and Ken Takeuchi

Current Status and Future Challenge of Fe-NAND/SRAM Cell Technology

Fe-NAND/SRAM单元技术的现状和未来挑战

• 发表时间: 2010
• 作者: P.Volpe;P.Muret;F.Omnes;J.Pernot;T.Teraji;F.Jomard;D.Planson;P.Brosselard;S.Scharnholz;B.Vergne;Ken Takeuchi
• 通讯作者: Ken Takeuchi

Storage Class Memory and Memory System Innovation-International Collaboration for Material, Device, Circuit, Signal Processing and OS Integration

存储类内存和内存系统创新——材料、器件、电路、信号处理和操作系统集成的国际合作

• 发表时间: 2011
• 作者: Ken Takeuchi

0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM

铁电6T-SRAM，工作电压为0.5V，静态噪声容限提高60%，有功功率降低32%，漏电流降低42%，具有阈值电压自调节功能

• 发表时间: 2010
• 作者: 田中丸周平;畑中輝義;矢島亮児;高橋光恵;酒井滋樹;竹内健
• 通讯作者: 竹内健