High-quality single-crystal growth and the research of the electronic state of the filled-skutterudite compounds
High-quality single-crystal growth and the research of the electronic state of the filled-skutterudite compounds
批准号:
20540358
负责人:
SUGAWARA Hitoshi
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2008
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2008 至 2010
中文摘要
本研究采用助熔剂法和高压合成法生长了高质量的填充方钴矿RT_4X_<12>(R=稀土,T=Fe,Ru,Os,X=P,As,Sb)和笼状结构化合物RT_2Al_(10)单晶<10>,并利用电阻率、磁化强度、比热和de Haas-van Alphen效应等研究了它们的电子态,从而获得了这些化合物的非常规磁性和超导电性的新信息。
英文摘要
In this research, I have grown highr-quality single-crystals of the filled-skutterudites RT_4X_<12>(R=rare earth, T=Fe, Ru, Os, X=P, As, Sb) and the cage-structure compounds RT_2Al_<10> by using the flux-method and the high-pressure synthesis, and studied the electronic states by using the resistivity, magnetization, specific heat and the de Haas-van Alphen effect etc. As the result, we heve gained new information about the uncoventional magnetism and superconductivity in these compounds.
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Heat capacity measurement of SmOs_4Sb_12 under high pressure
SmOs_4Sb_12高压热容测量
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T.C.Kobayashi, Y.Kawasaki, K.Miyazawa, Y.Ikeda, S.Araki, H.Kotegawa, H.Sugawara, D.Kikuchi, H.Sato]
通讯作者:
H.Sato
SmOs_4P_12のドハース・ファンアルフェン効果
SmOs_4P_12 的德哈斯-范阿尔芬效应
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[田中修平, 迫田将仁, 菅原仁, 摂待力生, 大貫惇睦]
通讯作者:
大貫惇睦
Temperature evolution of crystal field splitting in PrOs_4P_12
PrOs_4P_12 中晶体场分裂的温度演化
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K.Iwasa, K.Saito, Y.Murakami, H.Sugawara]
通讯作者:
H.Sugawara
高圧合成により作製された高充填率CeFe_4Sb_12の電子輸送特性
高压合成高填充率CeFe_4Sb_12的电子输运性能
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[菅原仁, 齊藤隆志, 龍岡翔, 田中謙弥, 佐藤英行, Gerald Giester,Peter Rogl]
通讯作者:
Gerald Giester,Peter Rogl
HANDBOOK OF MAGNETIC MATERIALS, VOLUME 18, Chapter 1, Magnetic Properties of Filled Skutterudites
磁性材料手册,第 18 卷,第 1 章,填充方钴矿的磁性
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H.Sato, et al.]
通讯作者:
et al.
共 14 条
Study of short-term low load resistance training method targeting fast muscle fiber
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批准号:17K01530
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2017
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负责人:SUGAWARA Hitoshi
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依托单位:
High-purity single-crystal growth and the research of heavy fermion superconductivity in Pr-based filled skutterudites
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批准号:15540347
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:2003
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负责人:SUGAWARA Hitoshi
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依托单位:
海外基金