Development of high photodetection efficiency avalanche photodiode
Development of high photodetection efficiency avalanche photodiode
高光电探测效率雪崩光电二极管的研制
批准号：
20540393
负责人：
AKIBA Makoto
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
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英文摘要
To develop a photon counter with low dark count rate and high photodetection efficiency, we have fabricated several kinds of avalanche photodiodes (APDs) with an additional linear multiplication layer and a temperature-controllable and low-noise measurement system to measure the characteristics of the APDs. Consequently, it was found that dark count rate of less than 0.1 cps is possible by using pin junction Al_<0.9>Ga_<0.1>As/GaAs APDs. On the other hand, with regard to the photodetection efficiency of the APDs, the efficiency of more than 90% has not been confirmed.
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光帰還型光検出器
光反馈光电探测器
光反馈光电探测器
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
アバランシェフォトダイオードを用いた光検出方法および光検出装置
使用雪崩光电二极管的光电检测方法和装置
使用雪崩光电二极管的光电检测方法和装置
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
高光子検出効率APDの開発
高光子探测效率APD的开发
高光子探测效率APD的开发
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[秋葉誠]
通讯作者：
秋葉誠
高光検出効率アバランシェフォトダイオード
高光检测效率雪崩光电二极管
高光检测效率雪崩光电二极管
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Experimental Determination of the Gain Distribution of an Avalanche Photodiode at Low Gains
低增益时雪崩光电二极管增益分布的实验测定
低增益时雪崩光电二极管增益分布的实验测定
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
IEEE Electron Device Letters Vol.30, No.1
影响因子：
--
作者：
[K.Tsujino, M.Akiba, M.Sasaki]
通讯作者：
M.Sasaki
共 6 条
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