Study on realizing ultrafast all-optical switching of two-photon absorption type in wide wavelength range

实现宽波长范围双光子吸收型超快全光开关的研究

• 批准号: 20760195
• 负责人: BANDO Hiroyuki
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Chiba University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760195/
• 关键词: 光スイッチ; 半導体光物性; 2光子吸収; 超高速光デバイス; 光非線形デバイス

I studied on realizing and fabricating a prototype device of an ultrafast all-optical switching of two-photon absorption type in wide wavelength range. Polarization dependences of two-photon absorption coefficient in InP were measured in wavelength range of 1640 nm to 1800 nm. The third-order susceptibility tensor of InP was calculated from the above results. Ridge waveguides of InP were fabricated by dry-etching, which had smooth etched surfaces and almost vertically etched side walls.

研究了宽波长范围双光子吸收型超快全光开关的原型器件的实现和制作。在1640 ~ 1800 nm波长范围内测量了InP双光子吸收系数的偏振依赖性。由上述结果计算了InP的三阶极化率张量。采用干法刻蚀的方法制备了InP脊形波导，其刻蚀表面光滑，侧壁几乎垂直刻蚀。

项目成果

Polarization dependence of two-photon absorption coefficient and nonlinear susceptibility tensor in InP

InP 中双光子吸收系数和非线性磁化率张量的偏振依赖性

• 发表时间: 2011
• 期刊: Phys. Status Solidi
• 作者: T. Matsusue;H. Bando;S. Fujita and Y. Takayama
• 通讯作者: S. Fujita and Y. Takayama

InP,GaAsにおける2光子吸収係数の偏光状態依存性と非線形感受率テンソルχ(3)

InP 和 GaAs 中双光子吸收系数的偏振态依赖性以及非线性磁化率张量 χ(3)

• 发表时间: 2010
• 作者: 高山祐介;坂東弘之;松末俊夫
• 通讯作者: 松末俊夫

Polarization dependence on two-photon absorption

偏振对双光子吸收的依赖性

• 发表时间: 2010
• 作者: T.Matsusue;H.Bando;S.Fujita;Y.Takayama
• 通讯作者: Y.Takayama

InPの2光子吸収係数の波長依存性

InP双光子吸收系数的波长依赖性

• 发表时间: 2011
• 作者: Takeshi Yokota;Y. Tsuboi;S. Murata;S. Kito;M. Gomi;坂東弘之
• 通讯作者: 坂東弘之

InP,GaAsにおける2光子吸収係数の偏光状態依存性と非線形感受率テンソルχ^<(3)>

InP和GaAs中双光子吸收系数的偏振态依赖性和非线性磁化率张量χ^<(3)>

• 发表时间: 2010
• 作者: 高山裕介