Preparation of Metal-insulator Composite Films by The Metal-insulator Co-electroless Deposition Method

金属-绝缘体共化学沉积法制备金属-绝缘体复合薄膜

• 批准号: 21560343
• 负责人: FUJITA Naoyuki
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Nara National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560343/
• 关键词: 無電解析出; 金属-酸化物コンポジット; 金属-高分子コンポジット; 金属-絶縁物コンポジット; 金属-絶縁物同時無電解析出法; グラニュラ薄膜; ウェットプロセス; 磁性薄膜; 金属-絶縁物コンポジット薄膜; 化学反応; 溶液成膜

Co-Ce-O films were synthesized by a newly-developed chemical method called the"metal-oxide co-electroless deposition method,"i. e. the simultaneous deposition of metal and oxide from a reaction solution. The deposition conditions were determined by thermodynamic simulation using potential-pH diagram. The Co content in the Co-Ce-O deposited films was subject to change from 0 to 100 vol.%, depending on the concentration of the CoSO4 in the reaction solution. About 10 at.% B, including in the Co-Ce-O films, therefore meant Co existed as an amorphous phase.

Co-Ce-O薄膜是用一种新开发的化学方法“金属-氧化物共化学沉积法”合成的，即从反应溶液中同时沉积金属和氧化物。利用电势-pH图进行热力学模拟，确定了沉积条件。Co-Ce-O沉积膜中的Co含量随反应溶液中CoSO4浓度的不同而变化，变化范围为0~100vol.%。约10at.%B，包括在Co-Ce-O薄膜中，因此意味着Co以非晶相的形式存在。

项目成果

化学的手法による金属-高分子コンポジット薄膜の作製に対する検討

化学法制备金属-聚合物复合薄膜的研究

• 发表时间: 2010
• 作者: 福井斉;北川大輔;平井誠;藤原裕小林靖之;品川勉;藤田直幸
• 通讯作者: 藤田直幸

金属-絶縁物コンポジット薄膜の化学的手法による作製

化学法制备金属-绝缘体复合薄膜

• 发表时间: 2011
• 作者: 福井斉;成瀬将徳;北川大輔;平井誠;藤原裕;小林靖之;千金正也;藤田直幸
• 通讯作者: 藤田直幸

金属-酸化物同時無電解析出による金属-酸化物コンポジット薄膜の作製

金属氧化物同步化学沉积法制备金属氧化物复合薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: 成瀬将徳;北川大輔;平井誠;藤田直幸
• 通讯作者: 藤田直幸

化学的手法による絶縁性高分子薄膜形成

采用化学方法形成绝缘聚合物薄膜

• 发表时间: 2011
• 作者: 福井斉;平井誠;藤田直幸;品川勉;千金正也;小林靖之;藤原裕
• 通讯作者: 藤原裕

金属-酸化物同時無電解析出の電気化学的考察

金属氧化物同时无电沉积的电化学考虑

• 发表时间: 2012
• 作者: 福井斉;西村佳那子;平井誠;笹野順司;伊崎昌伸;藤田直幸
• 通讯作者: 藤田直幸