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カルコパイライト系材料を光吸収層に用いた薄膜太陽電池の高効率化に関する研究

在光吸收层中使用黄铜矿基材料提高薄膜太阳能电池效率的研究

基本信息

批准号：
09J56281
负责人：
川村昌弘
金额：
$ 0.9万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09J56281/
关键词：
CIGS薄膜太陽電池クラッキングSe 高効率化カルコパイライト 3段階法

项目摘要

本年度はまず作製したCIGS膜について走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて評価を行った。またエネルギー分散型X線分析装置(EDX)によって、組成の確認を行った。組成比によって結晶粒の大きさが変化することが知られているので組成の確認は重要である。すべてのクラッキング温度において粒径1μmは以上になっており、結晶が密に成長していることが分かった。このことから、クラッキングSeを用いても、十分に良質なCIGS薄膜が作製可能であることを示した。次に、クラッキングSeを用いて作製したCIGS膜質を評価した。欠陥のピーク位置は0.29eV、0.32eVであり、通常のCIGS膜とほぼ同位置であった。これより、クラッキングSeを用いても膜内の欠陥の種類は大きく変化しないことが分かった。続いて、CIGS膜を実際に太陽電池に応用し、評価を行った。開放電圧特性において550℃のみ電圧が低下しているが平均電圧は500mV程度になっており、クラッキング温度による依存性は明確に現れていない。同様に短絡電流特性を見てもほぼ30mA/cm^2となっている。曲線因子の依存性は、クラッキング温度の上昇と共に改善されていることが分かった。これらのことから、クラッキングSeを用いて作製したCIGS太陽電池において、Seのクラッキング温度上昇につれ、変換効率が向上するとの知見を得た。更に、クラッキングSeを原料に使用することにより、C-V法により膜内の正孔濃度が向上することを見出した。以上の知見を元にCIGS太陽電池を作製し、変換効率15.4%を達成した。

This year, we will make sure that the CIGS film is used for the mobile computer micrometer (SEM). The distributed X-ray Analyzer (EDX) is designed to verify the performance of the distributed X-ray Analyzer. In terms of composition and accuracy, the structure of the system has been identified as important. The temperature is different. The particle size is above 1 μ m. The grain size is higher than 1 μ m. You may want to use the CIGS film as an example, and you may use the CIGS film as an indicator. For the second time, please use the Se to make the CIGS film for the first time. Due to the location of 0.29eV, 0.32eV film, usually the same position of the CIGS film. In order to improve the performance of the Se, we need to use the information in the film. For example, the CIGS film is used in the battery, and the battery is used in the battery. The characteristics of the switch on and off are as follows: 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, 550C, The same short-term current characteristics will affect the performance of 30mA/ cm ^ 2. The curve factor "dependence" and "temperature" are used to improve the distribution of temperature. Please check the temperature of the Se cell, the temperature of the Se cell, the temperature of the cell, the temperature of the cell, the temperature, the temperature and the temperature. The raw material Se is used to measure the positive pore temperature in the film by using the Cmurv method. The above information shows that the failure rate is 15.4%, and the failure rate is 15.4%.