Intrinsisch isolierende SiC-Substrate: Pulversynthese, keramischer Prozeß und Eigenschaften

本质绝缘碳化硅衬底：粉末合成、陶瓷工艺和性能

• 批准号: 5385971
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Andreas Roosen
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl Glas und Keramik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5385971?language=en
• 关键词: Intrinsisch; isolierende; SiC; Substrate; Pulversynthese

SiC-Keramiken haben auf Grund der vorliegenden Verunreinigungen halbleitende Eigenschaften. Gegenstand des Forschungsvorhabens zwischen dem Lehrstuhl für Glas und Keramik und dem Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik ist die Herstellung eines neuartigen keramischen SiC-Werkstoffes, der sich durch einen hohen elektrischen Widerstand und eine kleine Dielektrizitätszahl bei gleichzeitig hoher Wärmeleitfähigkeit auszeichnet. Eine durch diese Eigenschaften gekennzeichnete SiC-Keramik hätte ein hohes Anwendungspotential, z.B. als Werkstoff für die Mikroelektronik im Hochleistungs- und Hochfrequenzbereich. Dotierte SiC-Pulver mit elektrisch aktiven Störstellen zur Kompensation der durch Stickstoffverunreinigung erzeugten Donatorniveaus konnten in den beiden ersten Projektjahren erfolgreich synthetisiert werden. Die Synthesebedingungen wurden hinsichtlich einer höheren Sinteraktivität optimiert. Über das Flüssigphasensintern wurden dichte SiC-Keramiken hergestellt, die nur dann sehr hohe Widerstandswerte bis 7*1010Wcm erreichten, wenn im Temperaturbereich unterhalb der Teilchenumlagerung gesintert wurde und nicht im Bereich des Lösens und Wiederausscheidens. Grund für die dann beobachtete Abnahme des Widerstandes auf Werte 103-104 Wcm ist der vermehrte Einbau von Al als Akzeptor in die SiC-Körner. Dieser Effekt überwiegt den Widerstands erhöhenden Effekt der sich ausbildenden elektrisch isolierenden oxidischen zweiten Phase. Stark widerstandserhöhend wirkten sich geringe Mengen von VSi2 im Pulverbett aus, das als Störstellen-Kompensator den elektrischen Widerstand der SiC-Keramik um bis zu 4 Größenordnungen erhöht. Im dritten und vierten Projektjahr soll die Einstellung hochohmiger Widerstände über 1. eine Verdichtung der dotierten Pulver unterhalb 1850°C oder 2. über eine Verdichtung ohne Flüssigphasen untersucht werden. Im letzteren Fall würde die Auflösung und Wiederausscheidung von SiC ebenso entfallen wie die Ausbildung einer zweiten Phase. Hierzu sind HIP-Versuche notwendig.

SiC-陶瓷在其固有特性的基础上进行了改进。Gegenstand des Forschungsvorhabens zwischen dem Lehrstuhl für Glas und Keramik und dem Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik ist die Herstellung eines neuartigen keramischen SiC-Werkstoffes，der sich durch einen hohen elektrischen Widerstand und eine Dielektrizitätszahl bei gleichzeitig hoher Wärkitfähigkeit auszeichnet.一个通过这种固有结构得到的SiC-Keramik有一个很高的Anwendungspotential，z.B. als Werkstoff für die Mikroelektronik im Hoconistungs- und Hochfrezbereich. Dotierte SiC-Pulver mit elektrisch aktiven Störstellen zur Kompensation der durch Stickstoffverunreinigung erzeugten Donatorniveaus konnten in den beiden erjektjahren erfolgreich synthetisiert韦尔登. Die Synthesebedingungen wurden hinsichtlich einer höheren Sinteraktivität optimiert.在温度范围内，如果在激光器和微波炉的工作环境下，激光器的工作温度低于7* 1010 Wcm，则在高温下，激光器的工作温度不会高于1010 Wcm，因此，在高温下，激光器的工作温度不会高于1010 Wcm。Grund für die dann beobachtete Abnahme des Widerstandes auf Werte 103-104 Wcm ist der vermehrte Einbau von Al als Akzeptor in die SiC-Körner.这一效应大大增强了这两个阶段的电隔离氧化作用。Stark widerstandserhöhend schotten sich geringe Mengen von VSi2 im Pulverbett aus，das als Störstellen-Kompensator den elektrischen Widerstand der SiC-Keramik um bis zu 4 Größe dunnungen erhöht.我正在研究一个新的项目，该项目将于1月1日开始实施。在1850°C或2.一个由一个韦尔登组成的测试。Im letzteren Fall würde die Auflösung und Wiederausscheidung von SiC ebenso entfalled wie die Ausbildung einer zweiten Phase.你的屁股不舒服。