カーボンナノチューブの高せん断場を利用した分散制御とセラミックスの複合化

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本年度は、ダブルパーコレーション構造を有するCNT分散Si_3N_4セラミックスを作製し、その導電率と微構造の相関について検討した。その結果、ダブルパーコレーション構造を制御することにより、従来のCNTの閾値以下のCNT添加量でも導電性が発現できることを見いだした。さらに、ダブルパーコレーションにより、従来導電率の安定的な制御が困難だった低い導電率の領域においても安定的に導電率が制御できることもわかった。また、横浜国立大学内で行うことができなかったCNT分散Si_3N_4セラミックスの高温試験をOak Ridge National Laboratoryで行い、CNTの添加によるSi_3N_4の高温変形の抑制についての知見を得た。さらに、本年度は本研究の最終年度であるため、従来の研究計画に基づいて進めたすべての研究結果をまとめ、論文を執筆する共に、国内および国際会議において学会発表を行った。このうち、1件は特に、Oak Ridge National Laboratoryに滞在し多くの研究者と交流することにより、多角的な視点でCNT分散Si_3N_4セラミックスの評価を行うことができた。