気相化学成長法による基板上の単層カーボンナノチューブ高速成長
気相化学成長法による基板上の単層カーボンナノチューブ高速成長
批准号:
10J09231
负责人:
長谷川 馨
金额:
$0.9万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2011
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英文摘要
酸化アルミニウム担体上にFeナノ粒子を担持しC2H2を原料としてCVDを行うことで、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)が基板上に垂直配向して数μm/sの速度でミリメータースケール成長する。ミリメータースケール成長の必要条件及び成長、停止機構を検討した。現在までに、ミリメータースケール成長には酸化アルミニウム担体が必要であること、成長が一定時間後に急停止すること、成長中にSWCNT直径が単層構造を保ったまま増大することもわかっている。またSWCNT成長の直接原料であるC2H2と希釈ガスのArのみによる単純な系での合成を確立した。コンビナトリアル手法とリアルタイム観察を併用して触媒条件及び温度、原料分圧、添加物H2Oの影響を系統的に検討した。C2H2分圧を低く制御することで、適切な触媒条件下ではC2H2とArのみでSWCNTのミリメータースケール成長が可能なことがわかった。またC2H2分圧によって成長持続時間の温度依存性は異なり、高C2H2分圧では高温ほど長くなり、低C2H2分圧では高温ほど短くなった。前者は触媒からのSWCNT析出を超える炭素供給があると触媒が炭化失活するためと理解でき、後者はオストワルドライプニングによる触媒粒子の構造変化に起因することが分かった。二つの成長停止要因は本合成系に限らず汎用的なものであり、高速、持続的なSWCNT成長に対する本質的課題である。また大量合成を目的として流動層での数層(FW)CNT合成も検討しているが、また今後SWCNTの流動層合成を開発していく上でも、本研究での検討が基礎になる。またCNTの有力な応用用途である電池電極への利用についても検討した。未来型電池のひとつであるリチウムー空気電池の正極電極への利用を検討した。今回は初期検討として、SWCNT垂直配向膜をそのまま電極として用いたものと、流動層合成FWCNTを分散ろ過して作成した電極の充放電試験を行い、既往のCNT電極と同等の放電容量が得られた。SWCNT垂直配向膜は電極反応や触媒特性を検討するのに有用であり、また流動層合成したCNTは今後の実用的な利用が期待される。
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Half-centimeter-tall single-walled carbon nanotubes grown at low temperature regime of the growth window
在生长窗口的低温条件下生长的半厘米高的单壁碳纳米管
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kei Hasegawa, Suguru Noda]
通讯作者:
Suguru Noda
DOI:
10.1016/j.carbon.2011.11.032
发表时间:
2012-04-01
期刊:
CARBON
影响因子:
10.9
作者:
[Kim, Dong Young, Sugime, Hisashi, Noda, Suguru]
通讯作者:
Noda, Suguru
DOI:
10.1016/j.carbon.2011.06.061
发表时间:
2011-11-01
期刊:
CARBON
影响因子:
10.9
作者:
[Hasegawa, Kei, Noda, Suguru]
通讯作者:
Noda, Suguru
ミリメーター長単層カーボンナノチューブの成長停止
毫米长单壁碳纳米管的生长停滞
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長谷川馨, 野田優]
通讯作者:
野田優
Water-free, rapid growth of millimeter-tall single-walled carbon nanotube forests : role of water for growth lifetime and nanotube structure
毫米高单壁碳纳米管森林的无水快速生长:水对生长寿命和纳米管结构的作用
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kei Hasegawa, Suguru Noda]
通讯作者:
Suguru Noda
共 8 条
設置角度に着目した農地共用型太陽光発電と、国内への導入ポテンシャルの算出
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批准号:22K04999
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2022
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负责人:長谷川 馨
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依托单位:
国内基金
海外基金
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超宽禁带半导体金刚石CVD制备与掺杂技术研发
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批准号:2025QK3013
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2025
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负责人:曹晓君
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依托单位:
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批准号:Q24F040034
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项目类别:省市级项目
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依托单位:
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批准号:62404060
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批准年份:2024
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批准年份:2023
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依托单位:
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批准年份:2023
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批准年份:2023
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依托单位:
CVD石墨烯作为模板制备高质量sp2碳共轭2D COFs薄膜
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项目类别:青年科学基金项目
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批准号:52261135545
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项目类别:国际(地区)合作与交流项目
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批准年份:2022
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二维单斜相Eu2O3的盐辅助CVD可控合成及其偏振荧光研究
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批准号:22101090
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项目类别:面上项目
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批准年份:2021
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负责人:于贵
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