课题基金 / 基金详情

気相化学成長法による基板上の単層カーボンナノチューブ高速成長

気相化学成長法による基板上の単層カーボンナノチューブ高速成長
采用化学气相生长法在基底上高速生长单壁碳纳米管
批准号:
10J09231
负责人:
長谷川 馨
金额:
$0.9万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2011

项目摘要

项目成果

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酸化アルミニウム担体上にFeナノ粒子を担持しC2H2を原料としてCVDを行うことで、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)が基板上に垂直配向して数μm/sの速度でミリメータースケール成長する。ミリメータースケール成長の必要条件及び成長、停止機構を検討した。現在までに、ミリメータースケール成長には酸化アルミニウム担体が必要であること、成長が一定時間後に急停止すること、成長中にSWCNT直径が単層構造を保ったまま増大することもわかっている。またSWCNT成長の直接原料であるC2H2と希釈ガスのArのみによる単純な系での合成を確立した。コンビナトリアル手法とリアルタイム観察を併用して触媒条件及び温度、原料分圧、添加物H2Oの影響を系統的に検討した。C2H2分圧を低く制御することで、適切な触媒条件下ではC2H2とArのみでSWCNTのミリメータースケール成長が可能なことがわかった。またC2H2分圧によって成長持続時間の温度依存性は異なり、高C2H2分圧では高温ほど長くなり、低C2H2分圧では高温ほど短くなった。前者は触媒からのSWCNT析出を超える炭素供給があると触媒が炭化失活するためと理解でき、後者はオストワルドライプニングによる触媒粒子の構造変化に起因することが分かった。二つの成長停止要因は本合成系に限らず汎用的なものであり、高速、持続的なSWCNT成長に対する本質的課題である。また大量合成を目的として流動層での数層(FW)CNT合成も検討しているが、また今後SWCNTの流動層合成を開発していく上でも、本研究での検討が基礎になる。またCNTの有力な応用用途である電池電極への利用についても検討した。未来型電池のひとつであるリチウムー空気電池の正極電極への利用を検討した。今回は初期検討として、SWCNT垂直配向膜をそのまま電極として用いたものと、流動層合成FWCNTを分散ろ過して作成した電極の充放電試験を行い、既往のCNT電極と同等の放電容量が得られた。SWCNT垂直配向膜は電極反応や触媒特性を検討するのに有用であり、また流動層合成したCNTは今後の実用的な利用が期待される。
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科研奖励(0)
会议论文
Half-centimeter-tall single-walled carbon nanotubes grown at low temperature regime of the growth window
在生长窗口的低温条件下生长的半厘米高的单壁碳纳米管
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [Kei Hasegawa, Suguru Noda]
通讯作者: Suguru Noda
DOI: 10.1016/j.carbon.2011.11.032
发表时间: 2012-04-01
期刊: CARBON
影响因子: 10.9
作者: [Kim, Dong Young, Sugime, Hisashi, Noda, Suguru]
通讯作者: Noda, Suguru
DOI: 10.1016/j.carbon.2011.06.061
发表时间: 2011-11-01
期刊: CARBON
影响因子: 10.9
作者: [Hasegawa, Kei, Noda, Suguru]
通讯作者: Noda, Suguru
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [長谷川馨, 野田優]
通讯作者: 野田優
8
    設置角度に着目した農地共用型太陽光発電と、国内への導入ポテンシャルの算出
    • 批准号:
      22K04999
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.66万
    • 财政年份:
      2022
    • 负责人:
      長谷川 馨
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    超宽禁带半导体金刚石CVD制备与掺杂技术研发
    CVD 金刚石薄膜在原子气室中的抗弛豫原理 与方法研究
    • 批准号:
      Q24F040034
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2024
    • 负责人:
      于会尧
    • 依托单位:
    “缓释控源”CVD精准合成转角二维范德华异质结及其神经突触器件研究
    • 批准号:
      62404060
    • 项目类别:
      青年科学基金项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2024
    • 负责人:
      刘明强
    • 依托单位:
    (xZrC-yHfC-zSiC)/SiC多层交替涂层的多相共沉积机理及其一步CVD法制备研究
    • 批准号:
      52302071
    • 项目类别:
      青年科学基金项目
    • 资助金额:
      30.00万元
    • 批准年份:
      2023
    • 负责人:
      李博
    • 依托单位: