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Theory of embedded nanostructures

Theory of embedded nanostructures
嵌入纳米结构理论
批准号:
21686003
负责人:
RAEBIGER Hannes
金额:
$17.06万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2012

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
半导体的物理性质由缺陷决定,而层状材料的物理性质由它们的界面决定。本研究探讨了在半导体材料中嵌入纳米结构的可能性。主要结果包括:(1)一种新的缺陷簇理论,(2)一种嵌入ZnTe中的准一维Cr链理论,其目的是使整个块体具有磁性,以及(3)提出了一种基于绝缘体材料中金属沉淀物的纳米结构材料作为太阳能电池材料。
英文摘要
The physical properties of semiconductors are governed by defects, and those of layered materials by their interfaces. This study investigates the possibility of constructing nanostructures embedded inside a bulk semiconductor. Main results include (1) a novel theory of defect clusters, (2) a theory of quasi-1D Cr chains embedded in ZnTe for the purpose of making the entire bulk magnetic, and (3) a nanostructured material based on metal precipitates in an insulator material is proposed as a solar cell material.
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会议论文
The relationship of correlation effects and spin multiplicities in octahedral transition metal complexes
八面体过渡金属配合物中关联效应与自旋多重度的关系
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [S. Fukutomi, and H. Raebiger]
通讯作者: and H. Raebiger
Theory of transition metal impurities in semiconductors and insulators: from defect complexes to magnetic interactions
半导体和绝缘体中的过渡金属杂质理论:从缺陷复合物到磁相互作用
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Ueno, S. Nakamura, H. Shimotani, H. T. Yuan, N. Kimura, T. Nojima, H. Aoki, Y. Iwasa, M. Kawasaki, H. Raebiger]
通讯作者: H. Raebiger
Theory of transition metal impurities in semiconductors and insulators : from defect complexes to magnetic interactions
半导体和绝缘体中的过渡金属杂质理论:从缺陷复合物到磁相互作用
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者: [K.Furusawa, N.Hayazawa, S.Kawata, Hannes Raebiger]
通讯作者: Hannes Raebiger
Impurity States
杂质态
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者: [Y. Nakamura, M. Takahashi, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and A. Sakai, K.Sasaki, H. Raebiger]
通讯作者: H. Raebiger
共 44 条
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