Nonvolatile-device-based PVT-variation-resilient VLSI system
Nonvolatile-device-based PVT-variation-resilient VLSI system
批准号:
22360137
负责人:
HANYU TAKAHIRO
金额:
$11.65万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010-04-01 至 2014-03-31
中文摘要
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英文摘要
The aim of this research is to develop a new paradigm VLSI design methodology which relaxes design margin and realizes high-performance VLSI with high-dependability. In this research, we developed a MOS/magnetic-tunnel-junction-hybrid logic-circuit style for realizing a PVT-variation-aware VLSI processor with higher performance capability. For applying the proposed method to large-scale circuit structures, an optimization algorithm of circuit parameters based on evolutionary computation technique was also examined.
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MTJ素子を用いた不揮発ロジックLSIの低電力化に関する一考察
利用MTJ元件降低非易失性逻辑LSI功耗的研究
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[夏井雅典, 荒木敦司, 羽生貴弘]
通讯作者:
羽生貴弘
MTJ素子を用いた完全並列形不揮発TCAMワード回路の構成
使用 MTJ 元件配置完全并行非易失性 TCAM 字电路
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[勝俣翠, 松永翔雲, 夏井雅典, 羽生貴弘]
通讯作者:
羽生貴弘
Design of Process-Variation-Resilient Analog Basic Components Using Magnetic-Tunnel-Junction Devices
使用磁隧道结器件设计抗工艺变化的模拟基本组件
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
Journal of Multiple-Valued Logic and Soft Computing
影响因子:
1.3
作者:
[S.Matsuo, K.Takenaga, Y.Arakawa, Y.Sasaki, S.Tanigawa, K.Saitoh, M.Koshiba, 福島誉史, 張遼, M. Natsui and T. Hanyu]
通讯作者:
M. Natsui and T. Hanyu
DOI:
10.1109/ismvl.2013.23
发表时间:
2013
期刊:
43rd IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic (ISMVL2013)
影响因子:
--
作者:
[M. Natsui, K. Kashiuchi, and T. Hanyu]
通讯作者:
and T. Hanyu
Process-Variation-Aware VLSI Design Using an Emerging Functional Devices and Its Impact
使用新兴功能器件的过程变化感知 VLSI 设计及其影响
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Santa Clara, USA, M. Natsui and T. Hanyu]
通讯作者:
M. Natsui and T. Hanyu
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