Generation of large coherent phonon amplitude via coherent controlof electron system

通过电子系统相干控制产生大相干声子振幅

基本信息

  • 批准号:
    22540334
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

As steps to realize coherent phonon softening originated only fromlattice anharmonicity,We performed mainly two experiments below.First, by a pulse train excitation, we observed large amplitude of coherent phonon withsuppressing multi-photon absorption. This suggests a possibility of phonon softeningkeeping low temperature electron system.In addition, we observed coherent phonon oscillations in CdSe quantum dots which can beregarded as a two-level system
由于实现相干声子软化的步骤仅源于晶格非谐性,我们主要做了以下两个实验:第一,通过脉冲串激发,我们观察到了大振幅的相干声子,同时抑制了多光子吸收。另外,我们还观察到了在CdSe量子点中的相干声子振荡,这可以看作是一个二能级系统

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Multi-pulse Excitation of Coherent Phonon in ZnO
ZnO 中相干声子的多脉冲激发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K.Hashimoto;K.Ema;H.Kunugita
  • 通讯作者:
    H.Kunugita
Multi-pulse Excitation of CoherentPhonon in ZnO
ZnO 中相干声子的多脉冲激发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hashimoto;K. Ema and H. Kunugita
  • 通讯作者:
    K. Ema and H. Kunugita
ワイドギャップ半導体CdSにおけるコヒーレントフォノンの振る舞い
宽禁带半导体 CdS 中相干声子的行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    橋本一弘;欅田英之;江馬一弘
  • 通讯作者:
    江馬一弘
Observation of Coherent Phonons in Wide-gap Semiconductors
宽禁带半导体中相干声子的观测
  • DOI:
    10.1380/jsssj.32.761
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. N. Takeda;H. Tabata;T. Sakata;N. I. Ayob;N. Maejima;H. Matsuoka;H. Daimon;T. Inaoka;T. Tezuka;T. Katayama;and M. Yoshimaru;R. Yoshii and M. Eto;林正彦;欅田英之
  • 通讯作者:
    欅田英之
CdSe量子ドットにおけるコヒーレントフォノン
CdSe 量子点中的相干声子
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    相澤隆之;橋本一弘;関根寛;江馬一弘;欅田英之
  • 通讯作者:
    欅田英之
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