高品質窒化ホウ素半導体の電気伝導特性制御と高温高出力素子への応用
高品質窒化ホウ素半導体の電気伝導特性制御と高温高出力素子への応用
高品质氮化硼半导体导电性能控制及其在高温高输出器件中的应用
批准号：
23360288
负责人：
堤井 君元
金额：
$8.49万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 --
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会议论文
溶融半導体中パルス放電の生成と結晶成長への応用
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批准号：23656467
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2011
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负责人：堤井 君元
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依托单位：
プラズマ―容器壁相互作用による中性高次分子の発生機構に関する研究
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批准号：17740368
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2005
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负责人：堤井 君元
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依托单位：
半導体プロセスにおける中性高次分子計測用電子付着質量分析法の開発
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批准号：14780384
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.24万
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财政年份：2002
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负责人：堤井 君元
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依托单位：