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理想界面を用いた高温イオニクスデバイスヘテロ界面構造の解明と高活性電極の創製

理想界面を用いた高温イオニクスデバイスヘテロ界面構造の解明と高活性電極の創製
使用理想界面阐明高温离子器件的异质界面结构并创建高活性电极
批准号:
11J01074
负责人:
伊奈 稔哲
金额:
$0.83万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2012

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本年度は、電極/電解質の界面構造を明らかにして、イオン移動現象に寄与する諸性質(空間電荷層、力学的歪み等)の寄与を明確にする。これらを組み合わせて、高温電気デバイスの高性能カソード設計指針を得ることを目指す。格子間酸素系混合導電性材料に対してさらに、酸化物イオン伝導は酸化物イオン伝導経路上の一番断面積の小さい領域であるボトルネックの大きさにより決定されていることが分かった。表面交換反応係数と酸化物イオン導電率に強い相関が得られたことから、バルクサンプルにおいて表面反応速度を向上させるには、酸化物イオン伝導のボトルネックサイズの変化が有効であることが分かった。電解質/電極ヘテロ接触界面におけるミスマッチを利用した、力学的な変調によりボトルネックサイズを制御することで、電極特性の向上を狙った。単一配向ナノ薄膜に対するin situ XAFS測定から、力学変調により、易動度とキャリアイオン濃度の制御が可能であることが分かった。さらに、圧縮応力ではなく引っ張り応力を用いることによって、高い活性を示す電極の作製が期待できることが示された。酸化物のヘテロ接触界面近傍における材料の状態をより詳細に直接観察する分析手法として、電極内部の深さ方向への分解能を有する深さ分解in situ XAFS測定に着目し、単一配向ナノ薄膜の解析に適用した。深さ分解XAFS測定により、基板からの圧縮応力がかかる系では、格子のミスマッチは基板との界面において最も顕著であり、基板から離れるにつれて構造歪が緩和されることが明らかになった。以上より、格子間酸素系混合導電性電極の電極特性は格子のミスマッチを利用することで制御できることが明らかとなった。ボトルネックサイズを広げる方向に応力がかかるようにすれば高性能電極が得られると予想される。
英文摘要
本年度は、電極/電解質の界面構造を明らかにして、イオン移動現象に寄与する諸性質(空間電荷層、力学的歪み等)の寄与を明確にする。これらを組み合わせて、高温電気デバイスの高性能カソード設計指針を得ることを目指す。格子間酸素系混合導電性材料に対してさらに、酸化物イオン伝導は酸化物イオン伝導経路上の一番断面積の小さい領域であるボトルネックの大きさにより決定されていることが分かった。表面交換反応係数と酸化物イオン導電率に強い相関が得られたことから、バルクサンプルにおいて表面反応速度を向上させるには、酸化物イオン伝導のボトルネックサイズの変化が有効であることが分かった。電解質/電極ヘテロ接触界面におけるミスマッチを利用した、力学的な変調によりボトルネックサイズを制御することで、電極特性の向上を狙った。単一配向ナノ薄膜に対するin situ XAFS測定から、力学変調により、易動度とキャリアイオン濃度の制御が可能であることが分かった。さらに、圧縮応力ではなく引っ張り応力を用いることによって、高い活性を示す電極の作製が期待できることが示された。酸化物のヘテロ接触界面近傍における材料の状態をより詳細に直接観察する分析手法として、電極内部の深さ方向への分解能を有する深さ分解in situ XAFS測定に着目し、単一配向ナノ薄膜の解析に適用した。深さ分解XAFS測定により、基板からの圧縮応力がかかる系では、格子のミスマッチは基板との界面において最も顕著であり、基板から離れるにつれて構造歪が緩和されることが明らかになった。以上より、格子間酸素系混合導電性電極の電極特性は格子のミスマッチを利用することで制御できることが明らかとなった。ボトルネックサイズを広げる方向に応力がかかるようにすれば高性能電極が得られると予想される。
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会议论文
高温電解系における格子間酸素系カソード材料の点欠陥構造と反応活性
高温电解体系中间隙氧基正极材料的点缺陷结构与反应活性
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [伊奈稔哲, 折笠有基, 内本喜晴]
通讯作者: 内本喜晴
DOI: 10.1039/c1cp20982e
发表时间: 2011-09
期刊: Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子: --
作者: [Y. Orikasa;T. Ina;Takayuki Nakao;A. Mineshige;K. Amezawa;Masatsugu Oishi;H. Arai;Z. Ogumi;Y. Uchimoto]
通讯作者: Y. Orikasa;T. Ina;Takayuki Nakao;A. Mineshige;K. Amezawa;Masatsugu Oishi;H. Arai;Z. Ogumi;Y. Uchimoto
Oxygen Chemical Potential Profile of SOFC Cathode by in-situ Depth Resolved XAS Measurement
通过原位深度分辨 XAS 测量得到 SOFC 阴极的氧化学势分布
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [伊奈稔哲, 中尾孝之, 折笠有基, 谷田肇, 宇留賀朋哉, 雨澤浩史, 嶺重温, 内本喜晴]
通讯作者: 内本喜晴
DOI: --
发表时间: 2012
期刊:
影响因子: --
作者: [T. Ina, T. Okumura, T. Nakatsutsumi, Y. Orikasa, H. Arai, Y. Iriyma, T. Uruga, H. Tanida, Z. Ogumi, Y. Uchimoto]
通讯作者: Y. Uchimoto
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