近接場チップ増強赤外分光法による半導体デバイスの局所領域応力分布評価に関する研究
近接場チップ増強赤外分光法による半導体デバイスの局所領域応力分布評価に関する研究
近场芯片增强红外光谱评估半导体器件局部应力分布研究
批准号：
11J09705
负责人：
小瀬村 大亮
金额：
$0.51万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 --
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会议论文
LSIの高性能化を目的としてシリコン基板に導入された結晶歪の精密測定に関する研究
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批准号：08J02068
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.15万
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财政年份：2008
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负责人：小瀬村 大亮
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依托单位：