Basic research on future thermoelectric device using spinSeebeck effect
Basic research on future thermoelectric device using spinSeebeck effect
利用自旋塞贝克效应进行未来热电器件的基础研究
批准号：
23760657
负责人：
HAYASHI Kei
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
中文摘要
翻译
研究了Co_2CrAl、Co_2Cr_<1-x>Fe_xAl、Co_2Cr_<1-x>Mn_xAl等半金属化合物的自旋塞贝克效应。自旋塞贝克电压随取代量x的变化而变化，表明了电压与饱和磁化强度之间的关系。
英文摘要
We have studied spin Seebeck effect of half metal compounds, Co_2CrAl, Co_2Cr_<1-x>Fe_xAl, and Co_2Cr_<1-x>Mn_xAl. The spin Seebeck voltage changed with substitution amount x, indicating the relation between the voltage and saturation magnetization.
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会议论文
Spin Seebeck effect in Ni1-xFex thinfilms
Ni1-xFex 薄膜中的自旋塞贝克效应
Ni1-xFex 薄膜中的自旋塞贝克效应
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
[M. Tabata, K. Hayashi, Y. Miyazaki, andT. Kajitani]
通讯作者：
andT. Kajitani
Li0.5Fe2.5O4薄膜の作製とスピンゼーベック効果
Li0.5Fe2.5O4薄膜的制备及自旋塞贝克效应
Li0.5Fe2.5O4薄膜的制备及自旋塞贝克效应
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田端雅弘, 林慶, 宮崎譲]
通讯作者：
宮崎譲
Observation of spin-Seebeck effect via Co_2CrAl/Pt set-up
通过 Co_2CrAl/Pt 装置观察自旋塞贝克效应
通过 Co_2CrAl/Pt 装置观察自旋塞贝克效应
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Kuroda, K. Hayashi, Y. Miyazaki, andT. Kajitani]
通讯作者：
andT. Kajitani
Development of metal/Mg2Si composite materials with high thermoelectric efficiency
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批准号：17H03398
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.73万
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财政年份：2017
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负责人：HAYASHI Kei
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依托单位：
Fundamental study on fabrication of highly-oriented organic thinfilms with high thermoelectric performance
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批准号：19760002
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.53万
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财政年份：2007
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负责人：HAYASHI Kei
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依托单位：
海外基金
