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ダイアモンド表面における単原子金属層高温超伝導体の創出

金刚石表面单原子金属层高温超导体的制备

基本信息

批准号：
12F02207
负责人：
中山知信
金额：
$ 1.47万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012 至 2013
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12F02207/
关键词：
ダイアモンド超伝導単原子層物質固体表面

项目摘要

ダイアモンドはフォノン周波数が非常に高いため、高い転移温度を有する超伝導の発現が理論的に予想されている。ダイアモンド清浄表面上に単原子金属層を成長させ、超伝導特性を発現させることを目的として研究を行った。平成25年度は引き続き、ダイアモンド薄膜のCVD成長条件およびSTM観測条件の最適化を行った。ダイアモンド単結晶基板上にマイクロ波CVD法を用いて平滑で高品位なホウ素ドープダイヤモンドを成膜した。試料を1000℃に加熱しながら1×10^<-4>Pa程度の酸素を導入したところ、(100)結晶軸方向に沿った長方形型のテラス構造を観測することに成功した。これにより、有機汚染物の酸化および除去によって、清浄表面に近い状態が得られたことが確認できた。一方、ダイアモンド型の結晶構造をもつシリコン基板表面上で、インジウム原子層の成長と低温での電気伝導測定を行った。シリコン(111)表面を超高真空中で清浄化し、インジウムを一原子層程度300℃で成長させた。クライオスタットの改造により、電気伝導測定によって得られる超伝導転移温度は約3.0Kであることがわかった。これは低温STM測定によって知られていた転移温度とほぼ一致する。また、有機分子である銅フタロシアニンを1分子層程度この表面に吸着させ、配列させたところ、転移温度が0.13K程度上昇することがわかった。これは、銅フタロシアニンからインジウム原子層に電荷移動が起こり、キャリアがドーピングされたためであると考えられる。

The number of cycles in the system is very high, and the temperature shift is very high. The growth of a single atomic metal layer on the surface of a silicon wafer and the development of its superconducting properties are studied. The optimization of CVD growth conditions and STM measurement conditions for thin films was carried out in 2005. The film is formed on a single crystal substrate by using the CVD method to smooth out high-grade silicon. The sample was heated at 1000℃ and the acid element was introduced to the extent of 1×10^<-4>Pa. The sample was successfully tested along the direction of the (100) crystal axis. The organic pollutants are removed by acidification and purification. The growth of atomic layers on the surface of a silicon substrate and the measurement of electrical conductivity at low temperatures are carried out. The surface of the film is cleaned in ultra-high vacuum, and the film is grown at 300℃. The temperature of heat transfer is about 3.0K. The temperature of the sample is determined by STM. The organic molecules are adsorbed on the surface of the molecule, and the temperature of the molecule is increased by 0.13 K. The charge transfer in the original sublayer was initiated and the charge transfer in the original sublayer was initiated.