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ビスマス超薄膜の表面状態におけるスピン偏極伝導の測定

铋超薄膜表面态自旋极化传导的测量

基本信息

批准号：
12J10290
负责人：
東野剛之
金额：
$ 1.15万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012 至 2013
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12J10290/
关键词：
金電気伝導異方性擬1次元フラクタル

项目摘要

Si(110)-2×5-Auは金原子がSi(110)表面上に鎖状に並んだ構造を持っている。他の擬1次元金属表面の系と比べて原子鎖間の距離が広いため鎖間の相互作用が弱い事が期待される。実際角度分解光電子分光からも原子鎖に垂直方向の分散はほとんどなく、擬1次元金属的な電子状態を持つ事が報告されている。そのため他の擬1次元系よりもより強い1次元性を示す事が期待される。そこでSi(110)2×5-Auについて様々な端子の配置で電気伝導測定を行った。RHEEDによる回折像から比較的試料の質が悪いと考えられる試料においては、直線4端子法では探針の間隔依存性がなく、端子を配置する向きによる抵抗値の異方性がない事が分かった。この結果は過去の研究で測定されたSi(111)-4×1-Inなどと同様に異方的な2次元系と解釈する事ができる事が分かった。正方4端子法により原子鎖に平行な方向と垂直な方向の電気伝導度の異方性を測定する事に成功した。正方形を回転させる事で原子鎖に平行方向と垂直方向で電気伝導度に3.8倍の異方性がある事が分かった。一方、RHEEDによる回折スポットが明瞭であり質の良い試料においては、直線4端子法で測定した抵抗値に異方性が見出せる点や抵抗値が端子の間隔に依存する点で過去に研究されてきた系とは明確に異なる振る舞いを示す事が分かった。さらに探針間隔を100μm程度以下にすると探針間隔を狭める事で抵抗値も小さくなる振る舞いが観察できた。これはSi(110)-2×5-Auの持つ強い1次元性を反映した結果だと考えらえる。

Si (1010)-2 × 5-Au gold atom Si (110A) is formed on the surface of the gold atom and is used to hold the gold atom. In other words, the surface of 1-dimensional metal is different from the distance between atoms and the interaction between atoms. International Angle decomposition Photoelectron Spectroscopy, Atomic absorption Spectroscopy, Vertical dispersion, Electron status of 1-D Metals, Electron status, report, etc. Please tell me that the 1-dimensional system is not strong enough to indicate that you are looking forward to it. Use the Si (110x5) 2-Au terminal to configure the electrical guide to determine the terminal terminal. The RHEED system is folded back and compared with each other in terms of material quality, straight-line 4-terminal method, and terminal configuration to determine the dependence of each other. The results show that the second dimension of the Si-4 × 1-In system is the same as that of the other party. The square 4-terminal method is used to determine the atomic temperature in the parallel direction, the vertical direction in the vertical direction, the electrical temperature in the vertical direction and the temperature in the square 4-terminal method. The temperature of the square is 3.8 times higher than that of the atom in the parallel direction and the vertical direction. On the one hand, the RHEED system folds back to understand that the equipment is good. The straight-line 4-terminal method is used to determine the resistance of the device. The point of resistance is determined by the four-terminal method. The terminal is separated from the dependency point. To the extent that the distance is less than 100 μ m, there is a narrow gap between things and resistance, small dance, vibration dance and observation. The Si (110)-2 × 5-Au is strong enough to reflect the results of the test.