Local stress/strain analysis in the vicinity of-assemlbfled nanostructure interface

组装纳米结构界面附近的局部应力/应变分析

• 批准号: 23710107
• 负责人: SHIIHARA Yoshinori
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23710107/
• 关键词: 自己組織化; 界面応力; 第一原理計算; 半導体超格子

First-principles local stress calculation has been applied to reveal stress distribution in the vicinity of a self-assembled nanostructure interface such as GaAs/InAs. The weighted Bader integration scheme based on the Yu-Trinkle algorithm is found to be so effective that stress density is accurately integrated to the local stress. By applying the developed local stress calculation to semiconductor interfaces, it is found that interface stress is localized, in the range of a single atom, in the vicinity of the interface.

第一性原理局部应力计算已被应用到揭示应力分布在附近的自组装纳米结构界面，如GaAs/InAs。基于Yu-Trinkle算法的加权Bader积分方案被发现是如此有效，应力密度被准确地集成到局部应力。通过应用开发的局部应力计算半导体界面，它被发现，界面应力是本地化的，在一个原子的范围内，在界面附近。

项目成果

貴金属 fcc 積層欠陥近傍における局所エネルギー分布解析

贵金属FCC堆垛层错附近的局部能量分布分析

• 作者: S. Kr. Bhattacharya;S. Tanaka;Y. Shiihara;and M. Kohyama;椎原良典;椎原良典;椎原良典;椎原良典;Yoshinori Shiihara;椎原良典;椎原良典;椎原良典
• 通讯作者: 椎原良典

貴金属fcc積層欠陥近傍における局所エネルギー分布解析

贵金属FCC堆垛层错附近的局部能量分布分析

• 发表时间: 2012
• 作者: S. Kr. Bhattacharya;S. Tanaka;Y. Shiihara;and M. Kohyama;椎原良典;椎原良典;椎原良典
• 通讯作者: 椎原良典

第一原理局所エネルギーでみる積層欠陥の'広がり'

从第一原理局部能量中看到堆垛层错的“扩散”

• 发表时间: 2013
• 作者: S. Kr. Bhattacharya;S. Tanaka;Y. Shiihara;and M. Kohyama;椎原良典;椎原良典
• 通讯作者: 椎原良典

半導体界面近傍における原子スケール応力評価法の開発

半导体界面附近原子尺度应力评估方法的发展

Ab initio study of symmetrical tilt grain boundaries in bcc Fe: structural units, magnetic moments, interfacial bonding, local energy and local stress

• DOI: 10.1088/0953-8984/25/13/135004
• 发表时间: 2013-04-03
• 期刊: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
• 影响因子: 2.7
• 作者: Bhattacharya, Somesh Kr;Tanaka, Shingo;Kohyama, Masanori
• 通讯作者: Kohyama, Masanori