Fundamental Circuit Theories for Memristors and Resistive RAMs
Fundamental Circuit Theories for Memristors and Resistive RAMs
忆阻器和电阻 RAM 的基本电路理论
批准号：
24360145
负责人：
ASAI TETSUYA
金额：
$11.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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A Memristor ---the Fourth Fundamental Circuit Element--- and its Application to Unconventional Computation
忆阻器——第四种基本电路元件——及其在非常规计算中的应用
忆阻器——第四种基本电路元件——及其在非常规计算中的应用
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R Jain, D. Tanaka, H. Tsuda, M. Kuwahara, X. Wang, and H. Kawashima, Asai T.]
通讯作者：
Asai T.
Asynchronous digital circuits based on stochastic resonance for coarse-graind/low-voltage devices
用于粗粒度/低压器件的基于随机谐振的异步数字电路
用于粗粒度/低压器件的基于随机谐振的异步数字电路
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Junya Odori, Takemasa Yoshida, Keisuke Sorimoto, Hisao Iitsuka, Hitoshi Kawashima, and Hiroyuki Tsuda, 堀川隼世, Gonzalez-Carabarin L. and Asai T.]
通讯作者：
Gonzalez-Carabarin L. and Asai T.
Reaction-diffusion media with excitable Oregonators coupled by memristors (Memristor Networks)
具有由忆阻器耦合的可兴奋 Oregonators 的反应扩散介质 (Memristor Networks)
具有由忆阻器耦合的可兴奋 Oregonators 的反应扩散介质 (Memristor Networks)
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Asai T. (Adamatzky A. and Chua L., Eds.)]
通讯作者：
Eds.)
国際半導体ロードマップ(ITRS)-新探求デバイス・アーキテクチャにおける脳型デバイス・コンピュータへの期待
国际半导体路线图 (ITRS) - 对新研究设备架构中的脑形设备和计算机的期望
国际半导体路线图 (ITRS) - 对新研究设备架构中的脑形设备和计算机的期望
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉田健将, 浅倉秀明, 津田裕之, 水野隆之, 高橋浩, 浅井哲也]
通讯作者：
浅井哲也
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Higashi, T. Tanaka, and Y. Tanaka,, Asai T.]
通讯作者：
Asai T.
共 32 条
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