Herstellung photonischer Strukturen auf Basis von GaN-Heterostrukturen mit fokussierten Ionenstrahlen

这些项目是基于III族氮化物的光子结构。大部分都是光子晶体，也就是光子晶体带结构，还有光子晶体微谐振器也是韦尔登。在这种结构中，光子限制对基本光学特性的影响包括吸收率和发射率韦尔登。由于氮基异质结的发射光谱在GaAs或Si系中很小，韦尔登必须考虑衬底的横向结构。在圣巴巴拉的胡教授小组中，只有一个专门的实验室和化学实验室，正在进行沃登，也可以进行离子辐射实验，或者进行原子能实验。这种方法是在100纳米的直径下进行的。Zusätzlich bietet diese Technik eine große rebabilität bei der Kontrolle specifischer Prozessparameters wie etwa Ionendosis，Strahlstrom，Verweilzeit pro Punkt etc. Daher eignet sie sich besonder gur Optimierung des Sputtervorgangs.光学特性通过傅里叶光谱（在透射中）获得，通过光致发光获得。微光致发光剂在今后的实验中，我们将进行韦尔登结构的GaN基光子微谐振器的研制。紫外线光谱仪。

Ziel des Projektes ist es, photonische Strukturen auf der Basis der Gruppe III-Nitride herzustellen. Dabei sollen sowohl photonische Kristalle, also Strukturen mit photonischer Bandstruktur, als auch photonische Mikroresonatoren hergestellt werden. In diesen Strukturen soll der Einfluss des photonischen Confinements auf die fundamentalen optischen Eigenschaften wie Absorptionsvermögen und Emissionsraten untersucht werden. Da die Emissionswellenlängen von Nitrid-basierten Heterostrukturen deutlich kleiner sind als etwa beim GaAs- oder Silizium-System, werden besondere Anforderungen an die lateralen Strukturierung der Substrate gestellt. Es soll daher neben speziellen trocken- und nasschemischen Ätzverfahren, die in der Gruppe von Prof. Hu in Santa Barbara entwickelt worden sind, insbesondere auch fokussierte Ionenstrahlen zum ortsaufgelösten Sputtern zum Einsatz kommen. Mit dieser Methode sind Strukturgrößen unter 100nm erzielbar. Zusätzlich bietet diese Technik eine große Flexibilität bei der Kontrolle spezifischer Prozessparameter wie etwa Ionendosis, Strahlstrom, Verweilzeit pro Punkt etc. Daher eignet sie sich besonders gut zur Optimierung des Sputtervorgangs. Die optishce Charakterisierung soll im Wesentlichen durch Fourierspektroskopie (in Transmission) sowie Rückstreuung durch Photolumineszens bzw. Mikrophotolumineszenz erfolgen. In weiteren Experimenten soll untersucht werden, ob sich photonische Mikroresonatoren auf GaN-Basis zur Realisierung von (zunächst optisch gepumpten) Laserstrukturen im sichtbaren bzw. ultravioletten Spektralbereich eignen.