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Develpment of novel porous dielectric materials

Develpment of novel porous dielectric materials
新型多孔介电材料的开发
批准号:
24550088
负责人:
Cui Hengbo
金额:
$3.33万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2016-03-31

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超高圧下印加による単一成分分子性結晶[Ni(ddt)2]の金属化
超高压单组分分子晶体[Ni(ddt)2]金属化
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [崔亨波, 圓谷貴夫, 宮崎剛, 加藤礼三]
通讯作者: 加藤礼三
ポーラス強誘電物質の探索
寻找多孔铁电材料
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [古川 潤一, 篠原 康郎, 大草 雅子,槌本 昌信,渡邉 雅之,中島 清彦, 崔 亨波・加藤 礼三]
通讯作者: 崔 亨波・加藤 礼三
超高圧による含テルル有機πドナー単結晶の金属化
超高压含碲有机π给体单晶金属化
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [崔 亨波, 加藤 礼三]
通讯作者: 加藤 礼三
DOI: 10.4131/jshpreview.25.292
发表时间: 2015
期刊: The Review of High Pressure Science and Technology
影响因子: --
作者: [H. B. Cui, A. F. Bangura, and R. Kato]
通讯作者: and R. Kato
Development of pressure induced single-component superconducors and Dirac materials