Enhancement of thermal stability of magnetoelectric material toward voltage controlled magnetic recording devices

提高磁电材料对压控磁记录器件的热稳定性

• 批准号: 24760262
• 负责人: NOZAKI Tomohiro
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24760262/
• 关键词: 磁気記録デバイス; 電界操作; 電気磁気効果; 動作可能温度; 交換バイアス; 交換結合; ブロッキング温度; Cr2O3; Fe2O3; スパッタ

We enhanced the Neel temperature TN and blocking temperature TB of magnetoelectric (ME) Cr2O3 film, toward the realization of voltage controlled magnetic recording devices. We found TB can be increased by forming relative angles between spin easy axis direction of Cr2O3 and direction of applied magnetic field. We also demonstrated the control of TN and TB experimentally by making Fe2O3/Cr2O3 hetero-structure, which achieved by multiple effects of both lattice distortions and magnetic correlations between Cr2O3 and Fe2O3 antiferromagnet. Since we succeeded to demonstrate the control of TN and TB individually, enhancement of both TN and TB would be possible.

我们提高了磁电(ME)Cr2O_3薄膜的Neel温度Tn和阻挡温度Tb，以实现压控磁记录器件。我们发现，通过形成Cr2O_3的自旋易轴方向与外加磁场方向之间的相对夹角，可以增加Tb。我们还通过制作Fe_2O_3/Cr_2O_3异质结构实验证明了TN和Tb的控制，这种异质结构是由晶格扭曲和Cr2O_3和Fe_2O_3反铁磁体之间的磁关联共同作用实现的。由于我们成功地分别展示了对TN和TB的控制，因此TN和TB的加强将是可能的。

项目成果

Perpendicular Mangetic Anisotropy Originated from Cr2O3/Pt Interface

源于Cr2O3/Pt界面的垂直磁各向异性

• 发表时间: 2013
• 作者: 野崎友大;笈田陸弘;芦田拓也;佐橋政司
• 通讯作者: 佐橋政司

Orinetation Control of Cr2O3 Thin Film Crystallized by Post-annealing

后退火结晶Cr2O3薄膜的取向控制

• 发表时间: 2013
• 作者: 野崎友大;芦田拓也;佐藤祐司;佐橋政司
• 通讯作者: 佐橋政司

Temperature dependent Perpendicular Magnetic Anisotropy at Cr2O3/Co-Pt interface

Cr2O3/Co-Pt 界面处温度相关的垂直磁各向异性

• 发表时间: 2013
• 作者: 野崎友大;笈田陸弘;芦田拓也;佐橋政司
• 通讯作者: 佐橋政司

Exchange Bias in Post-annealed Cr2O3/Ferromagnetic Bilayer system for Low Energy Consumption Spintronic Device

用于低能耗自旋电子器件的退火后 Cr2O3/铁磁双层系统中的交换偏置

• 发表时间: 2012
• 作者: 野崎友大;下村直樹;芦田拓也;佐藤祐司;佐橋政司
• 通讯作者: 佐橋政司

Origin of perpendicular magnetic anisotropy of Co-Pt film on Cr2O3 antiferromagnetic oxide

Cr2O3反铁磁氧化物上Co-Pt薄膜垂直磁各向异性的起源

• 发表时间: 2013
• 作者: 野崎友大;笈田陸弘;芦田拓也;佐橋政司
• 通讯作者: 佐橋政司