Theoretical Study on Generation and Control of Molecular Motion by Spin for Magnetic Molecular Machine
Theoretical Study on Generation and Control of Molecular Motion by Spin for Magnetic Molecular Machine
磁分子机自旋分子运动产生与控制的理论研究
批准号：
25390055
负责人：
KOKADO SATOSHI
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
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Intuitive Explanation of Anisotropic Magnetoresistance (AMR) Effect and Necessary Condition for Half-Metallic Ferromagnet “Negative AMR”
各向异性磁阻（AMR）效应的直观解释以及半金属铁磁体“负AMR”的必要条件
各向异性磁阻（AMR）效应的直观解释以及半金属铁磁体“负AMR”的必要条件
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K.Koike, M.Yano, Y.Mori, S.Sasa, Y.Hirofuji, M.Yano, Satoshi Kokado and Masakiyo Tsunoda]
通讯作者：
Satoshi Kokado and Masakiyo Tsunoda
逆ペロブスカイト型遷移金属窒化物薄膜の磁気伝導特性
反钙钛矿过渡金属氮化物薄膜的磁导性能
反钙钛矿过渡金属氮化物薄膜的磁导性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[角田匡清, 鹿原和樹, 古門聡士]
通讯作者：
古門聡士
Anisotropic Magnetoresistance Effects in Fe, Co, Ni, Fe4N, and Half-Metallic Ferromagnet: Systematic Analysis and Intuitive Explanation
Fe、Co、Ni、Fe4N 和半金属铁磁体中的各向异性磁阻效应：系统分析和直观解释
Fe、Co、Ni、Fe4N 和半金属铁磁体中的各向异性磁阻效应：系统分析和直观解释
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Satoshi Kokado, Masakiyo Tsunoda]
通讯作者：
Masakiyo Tsunoda
Fe4N擬単結晶薄膜の異方性磁気抵抗効果と異常ホール効果
Fe4N赝单晶薄膜中的各向异性磁阻效应和反常霍尔效应
Fe4N赝单晶薄膜中的各向异性磁阻效应和反常霍尔效应
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[角田匡清, 鹿原和樹, 古門聡士]
通讯作者：
古門聡士
Mn4N薄膜の異方性磁気抵抗効果と異常ホール効果
Mn4N薄膜中的各向异性磁阻效应和反常霍尔效应
Mn4N薄膜中的各向异性磁阻效应和反常霍尔效应
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鹿原和樹, 角田匡清, 古門聡士]
通讯作者：
古門聡士
共 36 条