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Development of high sensitivity semiconductor sub-Nano sensor for charging and dose under radioactive environment

Development of high sensitivity semiconductor sub-Nano sensor for charging and dose under radioactive environment
放射性环境下充电和剂量高灵敏度半导体亚纳米传感器的研制
批准号:
25420296
负责人:
Hiroaki MIAYKE
金额:
$3.33万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31

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DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [Kensuke Kumaoka, Tsuyoshi Kato, Hiroaki Miyake and  Yasuhiro Tanaka]
通讯作者: Hiroaki Miyake and  Yasuhiro Tanaka
圧力波検出用半導体センサ開発へ向けた基礎研究
压力波检测半导体传感器开发的基础研究
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [園田 啓太, 熊岡 賢祐, 三宅 弘晃, 田中 康寛, 澤野 憲太郎, 丸泉 琢也, 越石 英樹]
通讯作者: 越石 英樹
電子線照射下における ETFE の空間電荷分布測定
电子束照射下ETFE的空间电荷分布测量
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [三好 雅仁, 永瀬 崇浩, 三宅 弘晃, 田中 康寛]
通讯作者: 田中 康寛
電子線照射フッ素系絶縁材料の内部帯電解析
电子束辐照氟基绝缘材料内部带电分析
DOI: --
发表时间: 2016
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作者: [吉田 周吾, 永瀬 崇浩, 三宅 弘晃, 田中 康寛]
通讯作者: 田中 康寛
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