Memory devices using heterointerfaces of fullerene and GaAs
Memory devices using heterointerfaces of fullerene and GaAs
使用富勒烯和砷化镓异质界面的存储器件
批准号：
25420299
负责人：
Nishinaga Jiro
金额：
$3.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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C60 doped GaAsダイオードの容量電圧特性
C60掺杂GaAs二极管的电容-电压特性
C60掺杂GaAs二极管的电容-电压特性
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Nobuyuki Iwata, Keisuke Oshima, Yuta Watabe, Takaaki Inaba, Chun Wang, Huaping Song, Qi Chang, Tomoko Nagata, Takuya Hashimoto, Kouichi Takase, Hiroshi Ishida, Kousaku Shimizu, Hiroshi Yamamoto, 西永慈郎]
通讯作者：
西永慈郎
大気下におけるCIGS太陽電池の効率劣化の解析
大气条件下CIGS太阳能电池效率衰减分析
大气条件下CIGS太阳能电池效率衰减分析
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西永慈郎, 上川由紀子, 柴田肇, 仁木栄]
通讯作者：
仁木栄
Recombination current in AlGaAs/GaAs superlattice solar-cells grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长的 AlGaAs/GaAs 超晶格太阳能电池的复合电流
分子束外延生长的 AlGaAs/GaAs 超晶格太阳能电池的复合电流
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2015.03.047
发表时间：
2015
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[A. Kawaharazuka, J. Nishinaga, Y. Horikoshi]
通讯作者：
Y. Horikoshi
Crystalline and electrical properties of fullerene doped GaAs pin diodes
富勒烯掺杂 GaAs pin 二极管的晶体和电学特性
富勒烯掺杂 GaAs pin 二极管的晶体和电学特性
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Nobuyuki Iwata, Keisuke Oshima, Yuta Watabe, Takaaki Inaba, Chun Wang, Huaping Song, Qi Chang, Tomoko Nagata, Takuya Hashimoto, Kouichi Takase, Hiroshi Ishida, Kousaku Shimizu, Hiroshi Yamamoto, 西永慈郎, 松本直也，品川勉，池田慎吾，小林靖之，松原治，藤田直幸, J. Nishinaga]
通讯作者：
J. Nishinaga
Influence on carrier recombination of Cu(In,Ga)Se2 solar cells induced by device processing
器件加工对Cu(In,Ga)Se2太阳能电池载流子复合的影响
器件加工对Cu(In,Ga)Se2太阳能电池载流子复合的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[熊岡 賢祐, 加藤 剛, 三宅 弘晃, 田中 康寛, J. Nishinaga]
通讯作者：
J. Nishinaga
共 25 条
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