Investigations of the strain effects on the mobility of 10-nm Si transistors by in situ TEM
Investigations of the strain effects on the mobility of 10-nm Si transistors by in situ TEM
通过原位 TEM 研究应变对 10 nm Si 晶体管迁移率的影响
批准号：
25820336
负责人：
Tang Dai-Ming
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Dai-Ming Tang, Cui-Lan Ren, Yoshio Bando, Masanori Mitome, Chang Liu, Hui-Ming Cheng, Dmitri Golberg]
通讯作者：
Dmitri Golberg
DOI：
10.1002/smll.201301948
发表时间：
2014-02-01
期刊：
SMALL
影响因子：
13.3
作者：
[Liu, Fei, Gan, Haibo, Bando, Yoshio]
通讯作者：
Bando, Yoshio
TEM and CL analysis of Si-doped AlN powders
Si 掺杂 AlN 粉末的 TEM 和 CL 分析
Si 掺杂 AlN 粉末的 TEM 和 CL 分析
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[CHOYujin, 湯代明, BenjaminDIERRE, 高橋向星, 廣崎尚登, 関口隆史]
通讯作者：
関口隆史
DOI：
10.1016/j.nanoen.2015.06.008
发表时间：
2015-09-01
期刊：
NANO ENERGY
影响因子：
17.6
作者：
[Jiang, Xiang-Fen, Wang, Xue-Bin, Golberg, Dmitri]
通讯作者：
Golberg, Dmitri
DOI：
10.1021/nl4038592
发表时间：
2014-03-01
期刊：
NANO LETTERS
影响因子：
10.8
作者：
[Wang, Xi, Weng, Qunhong, Golberg, Dmitri]
通讯作者：
Golberg, Dmitri
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