课题基金 / 基金详情

Siliziumkarbid Kristallzüchtung und Charakterisierung

Siliziumkarbid Kristallzüchtung und Charakterisierung
碳化硅晶体生长和表征
批准号：
5428342
负责人：
Professor Dr.-Ing. Peter Wellmann
金额：
$0.0万
依托单位：
Lehrstuhl für Materialien der Elektronik und Energietechnik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2004
资助国家：
德国
项目状态：
未结题
起止时间：
2003-12-31 至 --
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5428342?language=en
关键词：
SiliziumkarbidKristallzchtungundCharakterisierung

项目摘要

项目成果

Professor Dr.-Ing. Peter Wellmann的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Wesentliche Bestandteile der Aufgaben des Antragstellers im Organisationskomitee der Konferenz sind a) die Kontaktaufnahme zu deutschen Firmen im Bereich Kristallzüchtung und b) die Zusammenstellung des Tagungsprogramms im März/April 2004 in Grenoble. Eng verbunden mit der eingeladenen Professur ist ein Forschungsaufenthalt am Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) in der Arbeitsgruppe von Prof. Dr. Michel Pons, der ein Fachmann auf dem Gebiet der numerischen Simulation der SiC Gasphasenzüchtung ist. Es sind zwei Forschungsinhalte geplant, wobei in beiden Fällen eine wechselseitige Befruchtung der sich ergänzenden Arbeitsgebiete im Bereich der SiC Kristallzüchtung zu erwarten ist.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
In situ visualization of the ammonothermal crystallization process using X-ray measurementtechniques
Crystal growth of SiC using a modified PVT setup
  • 批准号：
    5368658
  • 项目类别：
    Research Units
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    Professor Dr.-Ing. Peter Wellmann
  • 依托单位：
    Kirchhoff-Institut für Physik
Modellbildung zur Simulation der Züchtung von Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallen aus der Gasphase und deren experimentelle Verifizierung
  • 批准号：
    5303110
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    Professor Dr.-Ing. Peter Wellmann
  • 依托单位：
    Kirchhoff-Institut für Physik