Siliziumkarbid Kristallzüchtung und Charakterisierung

碳化硅晶体生长和表征

• 批准号: 5428342
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Peter Wellmann
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Materialien der Elektronik und Energietechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2003-12-31 至 无数据
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5428342?language=en
• 关键词: Siliziumkarbid; Kristallz; chtung; und; Charakterisierung

Wesentliche Bestandteile der Aufgaben des Antragstellers im Organisationskomitee der Konferenz sind a) die Kontaktaufnahme zu deutschen Firmen im Bereich Kristallzüchtung und b) die Zusammenstellung des Tagungsprogramms im März/April 2004 in Grenoble. Eng verbunden mit der eingeladenen Professur ist ein Forschungsaufenthalt am Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) in der Arbeitsgruppe von Prof. Dr. Michel Pons, der ein Fachmann auf dem Gebiet der numerischen Simulation der SiC Gasphasenzüchtung ist. Es sind zwei Forschungsinhalte geplant, wobei in beiden Fällen eine wechselseitige Befruchtung der sich ergänzenden Arbeitsgebiete im Bereich der SiC Kristallzüchtung zu erwarten ist.

Wesentliche Bestandteile der Aufgaben des Antragstellers im Organisationskomitee der Conferenz sind a）die Kontaktaufnahme zu deutschen Firmen im Bereich Kristallzüchtung和B）die Zusammenstellung des Tagungsprogramms im März/April 2004 in Grenoble.法国格勒诺布尔国立综合技术研究所（INPG）在Michel脑桥教授的工作组中进行了一项研究，其中一项研究是由Fachmann在SiC气体的数值模拟领域进行的。这是第二个研究项目，在北部的Fällen，我们将在SiC晶体的生产过程中对这些工作进行检查。