Research on integrated circuit system with new nano-materials for real-time big-data processing
Research on integrated circuit system with new nano-materials for real-time big-data processing
批准号:
26289110
负责人:
Takeuchi Ken
金额:
$10.32万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2019-03-31
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IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路
用于物联网本地设备的由 CMOS 工艺和 NAND 闪存工艺组成的 1.0 V 操作 NAND 闪存写入电压生成电路
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[鶴見洸太, 田中誠大, 竹内健]
通讯作者:
竹内健
低電圧動作可能なReRAM向けプログラム電圧生成回路
可低电压运行的 ReRAM 编程电压生成电路
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[田中誠大, 石井智也, 蜂谷尚悟, 竹内健]
通讯作者:
竹内健
A 1.0 V Operation, 65% Faster Set/Reset Voltage (3V) Generator for 3D-integrated ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drive
A%201.0%20V%20操作,%2065%%20更快%20设置/重置%20电压%20(3V)%20发电机%20for%203D-集成%20ReRAM%20和%20NAND%20flash%20Hybrid%20Solid-State%20Drive
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Masahiro Tanaka, Shogo Hachiya, Tomoya Ishii, Sheyang Ning and Ken Takeuchi]
通讯作者:
Sheyang Ning and Ken Takeuchi
Machine Learning Prediction for 13× Endurance Enhancement in ReRAM SSD System
ReRAM SSD 系统中 13 倍耐力增强的机器学习预测
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tomoko Ogura Iwasaki, Sheyang Ning, Hiroki Yamazawa, Chao Sun, Shuhei Tanakamaru and Ken Takeuchi]
通讯作者:
Shuhei Tanakamaru and Ken Takeuchi
Investigation and Improvement of Verify-program in Carbon Nanotube Based Non-volatile Memory
碳纳米管非易失性存储器验证程序的研究与改进
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子:
3.1
作者:
[Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki, Kazuya Shimomura, Koh Johguchi, Eisuke Yanagizawa, Glen Rosendale, Monte Manning, Darlene Viviani, Thomas Rueckes and Ken Takeuchi]
通讯作者:
Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
共 41 条
Investigation of mechanism for adsorving cesium with calcined scallop shells
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批准号:25420717
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.41万
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财政年份:2013
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负责人:Takeuchi Ken
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依托单位:
海外基金