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High durability of GaAs photocathode by alkali-antimony functional layer

High durability of GaAs photocathode by alkali-antimony functional layer
碱锑功能层提高砷化镓光电阴极的高耐久性
批准号:
15K04734
负责人:
Iijima Hokuto
金额:
$3.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-10-21 至 2018-03-31

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