Synthesis of graphitic carbon nitride films and the evaluation as a semiconductor material
Synthesis of graphitic carbon nitride films and the evaluation as a semiconductor material
石墨氮化碳薄膜的合成及其作为半导体材料的评价
批准号：
15K06005
负责人：
Habuchi Hitoe
金额：
$3.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2020-03-31
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グラファイト状窒化炭素薄膜の電気伝導特性の観測
石墨氮化碳薄膜导电性能的观察
石墨氮化碳薄膜导电性能的观察
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[青山 宏明, 安田 和史, 羽渕 仁恵, 飯田 民夫, 滝川 浩史]
通讯作者：
滝川 浩史
DOI：
10.1016/j.diamond.2016.02.008
发表时间：
2016-05
期刊：
Diamond and Related Materials
影响因子：
4.1
作者：
[Shiori Fujita;Hitoe Habuchi;Shunsaku Takagi;H. Takikawa]
通讯作者：
Shiori Fujita;Hitoe Habuchi;Shunsaku Takagi;H. Takikawa
層状窒化炭素化合物のNEXAFSスペクトル(2)
层状氮化碳化合物的 NEXAFS 谱图 (2)
层状氮化碳化合物的 NEXAFS 谱图 (2)
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡島 敏浩, 瀬戸山 寛之, 吉村 大介, 羽渕 仁恵, 財部 健一]
通讯作者：
財部 健一
配向性のあるグラファイト状窒化炭素薄膜の電子物性
取向石墨氮化碳薄膜的电子性能
取向石墨氮化碳薄膜的电子性能
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[羽渕 仁恵, 小林 涼介]
通讯作者：
小林 涼介
グラファイト状窒化炭素薄膜の合成温度と光学ギャップ
石墨氮化碳薄膜的合成温度和光学间隙
石墨氮化碳薄膜的合成温度和光学间隙
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[羽渕 仁恵, 青山 宏明, 安田 和史, 滝川 浩史]
通讯作者：
滝川 浩史
共 18 条