Synthesis of graphitic carbon nitride films and the evaluation as a semiconductor material

石墨氮化碳薄膜的合成及其作为半导体材料的评价

基本信息

  • 批准号:
    15K06005
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
グラファイト状窒化炭素薄膜の電気伝導特性の観測
石墨氮化碳薄膜导电性能的观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    青山 宏明;安田 和史;羽渕 仁恵;飯田 民夫;滝川 浩史
  • 通讯作者:
    滝川 浩史
Optical properties of graphitic carbon nitride films prepared by evaporation
  • DOI:
    10.1016/j.diamond.2016.02.008
  • 发表时间:
    2016-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.1
  • 作者:
    Shiori Fujita;Hitoe Habuchi;Shunsaku Takagi;H. Takikawa
  • 通讯作者:
    Shiori Fujita;Hitoe Habuchi;Shunsaku Takagi;H. Takikawa
層状窒化炭素化合物のNEXAFSスペクトル(2)
层状氮化碳化合物的 NEXAFS 谱图 (2)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岡島 敏浩;瀬戸山 寛之;吉村 大介;羽渕 仁恵;財部 健一
  • 通讯作者:
    財部 健一
配向性のあるグラファイト状窒化炭素薄膜の電子物性
取向石墨氮化碳薄膜的电子性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    羽渕 仁恵;小林 涼介
  • 通讯作者:
    小林 涼介
グラファイト状窒化炭素薄膜の合成温度と光学ギャップ
石墨氮化碳薄膜的合成温度和光学间隙
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    羽渕 仁恵;青山 宏明;安田 和史;滝川 浩史
  • 通讯作者:
    滝川 浩史
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Habuchi Hitoe其他文献

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